硅硅直接键合界面杂质分布研究.pdfVIP

2010年第 2朝 总第 313 硅硅直接键合界面杂质分布研究 霍文 晓 (青 岛农业大学 理学与信息科学学院 山东 青 岛 260019) 摘 要 ：根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律 ，使用集成 电路模拟软件 T—SUPREM 4建立一个键舍 过程 中杂质再扩散模 型。该模 型有利于 MEMS和 IC电路的集成化设计。使用该模 型对键合热处理 时的杂质再扩散进行模 拟 ，得到 了在 500C温度下进行键合 时界面处杂质的分布曲线 。结果表 明，热处理 lh杂质再扩散 已基本停止 ；键合界面处 的氧化层对杂质扩散有 明显 的阻止作用．这有利于改善器件性能。 关键词 ：微电子机械系统 ；直接键合 ；杂质分布 ；功率器件 中图分类号 ：TN305．96 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—373X(2010)02—157一O3 ． ImpurityDistributionon theInterfaceofSiliconDirectBonding HU0 W enxiao (CollegeofScienceandInformation，QingdaoAgriculturalUniversity，Qingdao．260019．China) Abstract：A modelofsilicondirectbonding ispresented byT — SUPREM4，anditisexpedientto integrateddesignof MEMSandIC．Themodelsimulatestheimpuritydistributionduringdirectbondingat500 C accordingtothelaw ofdiffusion insemiconductorandthebondingprocess．Theresultprovestheimpuritydistributionhasstoppedgeneratingafterheattreat— ment1h．Andthetotalimpurity insiliconwithoxideismuchlessthanthatwithoutoxide，which ispropitiousto improvethe propertyofpowerdevice． Keywords：MEMS；directbonding；impuritydistribution；powerdevice 处 的杂质分布必定会对器件 的电学特性产生影 响；对 MEMS结构而言，杂质再扩散对后续 自停止腐蚀等工 键合技术 (BondingTechnology)是伴 随集成 电路 艺也会产生影响。因此 ，有必要对键合界面处的杂质分 和微机械的发展而出现的～种加工技术 。键合是指不 布情况进行研究 。目前，这方面的研究很少 ，而且在文 利用任何黏合剂 ，只通过化学键和物理作用将硅片与硅 献[7，8]中模拟 的键合温度较高，与当前流行 的低温键 片、硅片与玻璃或其他材料紧密结合在一起 。键合界面 合 略 有 出 入。这 里 使 用 集 成 电路 模 拟 软 件 具有 良好的气密性和长期 的稳定性 ，应用十分广泛 ，是 T—SUPREM 4建立 了键合工艺的模 型。该模 型可以 微电子机械系统(MEMS)封装中的基本技术之一Ll一。 使键合工艺与集成电路制造工艺的模拟相结合 ，以有利 直接键合技术是指两硅 片通过高温处理可 以直接 于 MEMS与 IC电路 的集成化设计。使用该模型对 键合在一起 ，不需要任何粘 结剂和外加 电场 ，工艺简