纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅.pdfVIP

显徽、测量、徽细加工技术与设备 M icroscope，Measurement。M icrofabrication＆Equipment 纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅 王定理 ”，周 宁 ”，王 磊 ，刘 文 ”，徐智谋 ，石 兢 (1．武汉大学 物理科学与技术学院 声光材料与器件教育部重点实验室，武汉 430072； 2．华 中科技大学 武汉光电国家实验室，武汉 430074；3．武汉光迅科技股份有限公司， 武汉 430074；4．新一代光纤通信技术和网络 国家重点实验室 (筹)，武汉 430074) 摘要：分布反馈 (DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺，通过纳米压印技术在 InP 基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅 图形，并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅 图 形转移到 InP基片上。所制作的 DFB光栅周期为 240nm (对应 于 1550nm 波长的 DFB激光 器)，光栅 中间具有a／4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法 制作的光栅具有更好的均匀性以及更低 的线条粗糙度 ，而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀 光栅 的技术难题 。相对于 电子束直写光刻法，采 用纳米压印技 术制作 DFB光栅具有快速与低成 本的优势。采用纳米压印技术在 InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅 ，为进一步进行 低成本 高性能的半导体激光器芯片的制作奠定 了良好基础 。 关键词 ：纳米压印；半导体激光器；分布反馈光栅；相移型光栅 ；干法刻蚀技术；湿法腐蚀 中图分类号 ：TN305 文献标识码 ：A 文章编号 ：167卜4776 (2010)01-0056—04 DFB GratingsforSemiconductorLaser DiodesbyNanoimprintLithography WangDingli ，ZhouNing。”，WangLei，LiuWen一，XuZhimou ，ShiJing (1．KeyLaboratoryofAcousticandPhotonicMaterialsandDevicesofMinistryofEducation，Department ofPhysics，WuhanUniversity，Wuhan430072，China；2．WuhanNationalLaboratoryforOptoelectronics， HuazhongUniversityofScienceandTechnologies，Wuhan430074，China；3．AccelinkTechnologiesCo．， LTD．，Wuhan430074，China；4．StateKeyLaboratoryofrNewOpticalCommunicationTechnologiesand Networks，W han 430074，China) Abstract：Thefabricationofdistributedfeedback (DFB)gratingsisakey processforsemicon— ductorlaserchips． TheDFB gratingswerefabricatedon thephotoresiston theInP substrate surface，andthegratingpatternsweretransferred totheInP substratebywetand dry etching processrespectively． TheperiodoftheDFB gratingis240nm (correspondingto1550nm wave— lengthDFBlasers)，andaa／4phase—shiftislocatedinthecentero‘fthegrating．Comparedwith thedouble-lightbeam interferingmethod，theDFB gratingsfabricatedbynanoimprintlithogra— phyhaveb