掺铝氧化锌的合成及其电学性能.pdfVIP

· 108· 广州化工 2010年 38卷第 1期 掺铝氧化锌的合成及其电学性能 王爱军 ，曹忠华 ，卢智慧 ，李安东 ，王一大4 (1沈阳化工学院材料科学与工程学院，辽宁 沈阳 110142；2中国科学院长春应用化学研究所，吉林 长春 130022； 3中国科学院研究生院，北京 100049；4中国冶金地质总局地球物理勘察院，河北 保定 071051) 摘 要：采用直接沉淀法制备掺铝氧化锌，通过XRD、TEM、uv—vis和四探针法等手段对样品进行了表征。结果表明，合成的 掺铝氧化锌颗粒的粒径大小分布较均匀且均值在20nm左右。同时，我们研究了不同Al掺杂量对材料电阻率的影响，当掺杂量在 3mo1％时，样品的电阻率最低，其平均值达到了1000~t·cm。 关键词：直接沉淀法；掺铝氧化锌；电阻率 、 SynthesisofAI—dopedZnO anditsElectricalProperties WANGAi—jun，CAOZhong—hua，LUZhi—hui ，LIAn—dong，WANGYi—da (1DepartmentofMaterialScienceandEngineering，ShenyangInstituteofChemicalTechnology，LiaoningShenyang110142； 2ChangchunInstituteofAppliedChemistry，ChineseAcademyofSdences，JilinChangchun130022； 3GraduateSchoolofChineseAcademyofSciences，Beijing100049； 4GeophysicalExplorationBureauofCMGB，HebeiBaoding071051，China) Abstract：Aluminum —dopedzincoxidewaspreparedbydirectprecipitationmethod，whichwassubsequentlychar— acterizedbyXRD，TEM andUV—Vistechniques。Themorphological investigationconfirmedthatthesizeofA1一doped ZnO，particlesishomogeneous，with an averagesize ～20nm．In themeantime，theelectricalresistivityofAI—doped ZnOwasmeasuredusingfour—probemethod．Particularly，thedependenceofvolumeresistivityonA1contentwassys— tematicallystudied，whichshowedthattheminimizedresistancelO001／·cm wasachievedwith3mo1％ AI． Keywords：directprecipitation；aluminum —dopedzincoxide；resistance 近年来 ，氧化锌作为一种可以提高电子器件和光学器件的 取6．0gZn(AC)2·2H20和 0．1980gAICI3·6H2O溶解 到 纳米材料正越来越受到世人的关注 。氧化锌 自身是一种典 200mL的蒸馏水中，在不断搅拌的条件下，滴加200mLnlmol·L 型的n一型半导体，在室温下其禁带宽度约为3．3eV且具有较 的Na~CO，沉淀剂溶液，形成不溶于水的乳白色胶状沉淀，沉降 高的激子束缚能60meV ，是绝缘材料。但一些掺杂元素，诸如 12h。然后用去离子水和无水乙醇各洗涤沉淀数次。期间，沉淀要 铝、钙或者铟可导致O空位以及 zn填隙离子的存在，由此制得 在超声波清洗器里超声振荡 30min，以便达到最佳的洗涤效果。 的氧化锌往往表现出很好的导电性能 j。掺铝氧化锌广泛地应