表面活性剂光催化降解的研究进展.pdfVIP

第33卷第 1期 日用化学品科学 V0l-33No．1 2010年 1月 DETERGENT COSMETICS Jan．2010 表面z舌性剂光摧T乞降解 的研究i毪I展 胡应燕，郭 睿，梁文庆，窦蓓蕾 (陕西科技大学 教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室，陕西 西安 710021) 摘要：介绍了表面活性剂的光降解催化剂 ，光催化降解机理 ，光催化降解动力学及热力学模型，分析了影 响光催化降解的主要影响因素。最后提出了国内表面活性剂光催化降解的研究方向。 关键词：表面活性剂；光催化降解 ；研究 中图分类号：TQ423 文献标识码：A 文章编号 ：1006—7264(2010)01—0016—04 目前 ，针对表面活性剂的降解处理最有应用前 ZnO可以催化降解表面活性剂的原因在于它具有 景、研究最活跃的技术是光催化降解技术 ，原因是 宽带带隙，在受到紫外光的辐射后，处于价带的电子 光催化降解在常温常压下就可以进行，反应原料仅需 就被激发到导带，价带生产空穴，h作为一种强氧化 要太阳光、氧气和水 ，更重要的是与现有的吸附降 剂和水生产羟基 自由基，通过一系列氧化过程，终将 解、焚烧降解 、生物降解等技术相比，光催化降解具 表面活性剂降解[12,13】。 有成本低、降解率高、二次污染少，且最终能将有机 虽然TiO等半导体光催化降解技术还不是很完 污染物彻底分解为CO、H0和其他无机盐等优点 。 善，但是由于反应条件温和，操作条件容易控制，氧 化能力强，无二次污染，加之 TiO化学稳定性高、 1 光降解催化剂 无毒等优点，因此仍是一种很有前景的表面活性剂降 解技术 【。 光催化剂的作用机理是当光照射至半导体表面 1．2 铁离子和负载型的铁系光催化剂 时，能量砌 大于禁带宽度E 的光电子被吸收，而将 由于铁离子催化分解 H0氧化分解水体中的表 价带的电子激发到导带，在半导体中产生光电子和空 面活性剂污染物 (如典型的费顿反应)具有廉价 、 穴删。所产生的光电子和空穴分别具有强还原性和强 环境优化和无二次污染等特点，一直是降解的研究 氧化性，与表面活性剂发生强的氧化反应，从而达到 热点f51。 降解效果。 王静松等9[1设计了一个催化循环，在 Fe时，Fe 1．1 半导体光催化剂 能 自由挣脱配位键的束缚，与H：0：发生快速反应而 半导体光催化剂主要以TiO：和ZnO为主，原因 产生羟基 自由基降解有机物；而在Fe。时，需要被锚 是其难溶、无毒、成本低，几乎能降解所有的表面活 定在载体上的磺基水杨酸的配体 (羟基和酚羟基)抓 性剂，生成CO或易降解的小分子 ，且光催化稳定 住，使其不能无效分解 H0：，又能避免配体在液相 性高 。 被羟基 自由基攻击分解，因此具有非常好的H0：利 TiO等半导体光催化剂粒子的能带结构一般 由填 用率和催化剂稳定性，而靠配体的一个酚 自由基的反 满电子的价带 (