Effective Surface Exfoliation of 4H-SiC Induced by He＋ and O＋ Coimplantation.pdfVIP

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2018-04-08 发布于湖北
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Effective Surface Exfoliation of 4H-SiC Induced by He＋ and O＋ Coimplantation.pdf

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2009 IMP HIRFLAnnualReport 97 References [1]R．A．Hakoort，A．vanVeen，P．E．Mijnarends，AppliedSurfaceScience，85 1995 271 [2]R．S．Brusa，G．P．Karwasz，N．Tiengo，Phys．Rev．。B61 2000 10 154． E3]A．vanVeen，H．Schut，P．E．Mijnarends，In：P．Coleman Ed．，PositronBeamsandTheirApplications．WorldScien tific，2000 Chapter6 ． 3—14 EffectiveSurfaceExfoliation of4H-SiC Inducedby He+ andO+Coimplantation LiBingsheng，ZhangChonghong，ZhangIiqingandZhouLihong 4H—SiC waferswereimplantedwithHe andO ionsseparatelyorcooperativelyatthetemperatures of340 ℃ and380 ℃ ，respectively．AfterHeionimplantation，thesampleswereannealed invacuum ≤ 10一 Pa at800 ℃ for1h，asshown inTable1．Surfacemorphologiesofas—implantedand samplesan— nealedat1000 ℃ for2hwerestudiedbyscanningelectronmicroscopy JSM一6701FSEM ．Astoas—im— plantedsamples，therearealotofsymmetricaldistributedcratersand blistersonthe surface shown in Fig．1 SEM imagesoftheas—implantedsamples，a A1，b A2，c A3，andd A4． Fig．2 SEM imagesofthesamples，a A1．b A2，c A3， Fig．3 A crosssectionalSEM image ofa blister in the andd A4annealedat1000 ℃ for2hinArambient． sampleA1annealedat1000℃ for2hinArambient． Fig．1．On thesurfaceofthesampleA 1，thediameterofacratercanreachover6 “m ，asshowninFig． 1a ．W econsiderthattheoriginofthecarterresultsfrom thecoalescenceofimplant—induced blistersand over-Dressuredblistersburstinto thepopped—offstateL’ ．Thedepthofcraterscan reach about210nm observedbyatomicforcem icroscopy notshown ，whichiswellconsistentwith thedepthofthedamage peak producedby He-implantation．W hen thesampleisimplantedwith Heionsto adoseof3．5× 1O cm_。，ithassim ilarmorphologyasA 1thattherearealotofcraterssurroundedbyblisters．However，the densityofcratersofA2issmallerthan thatofA1．M eanwhile，themeanmagnitudeofblistersofA2is smallerthan thatofA1．Astoannealedsamples，itwasshownthattheselecteddos