Multiple-bit Upset Induced by Swift Heavy Ions in SRAM.pdfVIP

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2018-03-31 发布于湖北
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112 IMP HIRFLAnnualReport 2009 。C．ThecurvesinFig．1showstheelectronicstoppingpoweroftheKr—ionswithdifferentenergyatdiffer— entdepth beneath TiO2 crystal，and the dots on each curve indicate the position where the etching stopped．Fig．2showsthepicturestaken bythemicroscope OlympusBX51 ofthemaskgridsmadeof goldorcopper a 1 ，b 1 ，c 1 ，thecrystalirradiatedwithrelatedmasksbeforeetching a 2 ，b 2 ， c 2 andthecrystalirradiatedafteretching a 3 ，b 3 ，c 3 ，respectively． Theresultsoftheexperimentsindicatesthattheionbeam lithographytechniqueespeciallyusinghigh energyionsisaprom isingmethodinfabricatingnano—andmacro—structureinrutileTiO2．However，more experimentsareneededtoacquirethebestirradiationandetchingparameters． RefeFences [1]J．Jensen，M．Skupifiski，eta1．，Nuc1．Instru．andMeth．，B266 2008 3113 [2]K．Nomura，T．Nakanishi，eta1．，PhysicsReview，B68 2003 064106． 3__25 M ultiple。-bitUpsetInducedby u SwiftHeavyIonsin SRAM ZhangZhangang，GaoShanshan，LiuJie，SuHong，HouMingdong SunYoumei，ChangHailong，DuanJinglai，MoDan YaoHuijunandZhangling Multiple—bitupset MBU ，oneofsingleeventeffects SEEs ，occurswhensingleenergeticparticle inspacestrikessensitiveregionsofhighdensityspacebornedigitalm icroelectronicsand producesenough chargeswhicharesharedbyphysicallyadjacentcellscausingmorethanonebiterror．Itisharmfulto spacecraftbecauseitincreasestheupsetcrosssectionandcannotbecorrectedbysimpleone—-biterrordetec—— tionandcorrection EDAC algorithms． 0 LET MeV cm ／mg Angle Fig．2The correlation between MBU ratio and the