多层膜结构电容式压力传感器及CMOS兼容工艺研究.pdf

摘要 硅微机械加工压力传感器是MEMS的重要研究领域之一，在汽车系统、工业控制、环境监控和 测量以及生物医疗诊断等众多领域有着广泛的应用。电容式压力传感器是硅微压力传感器的一种主 要类型，其基本原理是将压力变化转换为电容的变化。与压阻式压力传感器相比，电容式压力传感 器具有多方面的优势，例如较高的灵敏度、较低的温度偏移系数、更加坚固的结构以及更低的功耗 等等。传统电容式压力传感器主要缺点：(1)由于电容值与极板的间距成反比，传统结构的电容式压 力传感器具有较大的非线性，这一固有的非线性给传感器的校准带来了困难。(2)由于在两个电极之 间存在空腔，并且传感器的下电极需要从空腔中引出。这些因素致使传感器的加工复杂化。 本文首次提出多层膜结构电容式压力传感器结构，消除了空腔中电极引出的问题，极大的降低 了加工的复杂性，采用这种结构，还获得了电容式压力传感器固有特点基础上的一些其它优势，例 如对残余应力的补偿、传感器强度的增加、较大的固有电容等等。较大的固有电容有效地抑制了寄 生电容的影响。为接口电路的设计带来了方便。本文提出多层膜的机械、热模型，采用理论模型和 有限元方法分析和模拟了多层膜的负载一形变效应，热翘曲和热应变以及温度系数。根据弹性电介 质材料的电致伸缩增强效应，本文首次提出了弯曲状态下弹性电介质的改进电致伸缩增强效应模型， 在模型中附加了电介质膜厚度方向应变梯度引起的介电常数变化项。以介电常数变化模型定性解释 了传感器灵敏度的增强效应，这一模型较好的解释了实验结果，根据实验结果提取了变化项的系数。 0．008pF／hPa-0．02 室温下空腔内残余压力约为82hPa。对传感器进行了简易封装。对传感器的长期稳定性进行了评估， 测试时间为两周，传感器输出无明显变化。传感器具有较好的稳定性。 本文基于开关电容基本原理提出、设计并实现了一种差分输入形式的电容一电压转换传感器接 口电路体系结构。采用HSPICE对电路进行了模拟和验证，电路的分辨率为2mV／SfF。电路建立精度 0．01％，建立时间0．5岫。等效输入热噪声7．137|lv，电路带宽300kHz。主体部分功耗14．42mW。对部 分电路性能进行了测试，电路工作线性电压范围为-4v一3V。 传感器的CMOSI艺集成化是传感器研究和发展的趋势。本文在多层膜电容式压力传感器结构 的基础上提出了一种CMOS工艺兼容的电容式绝对压力传感器的实现形式，采用电路工艺加工在先， 后处理工艺在后的方式，保证了CMOST艺的完整性和工艺次序的不被改变和不被打断。对后处理 中的关键工艺给予了实验研究，明确了后处理工艺对CMOSIc的影响和实际可行性。 本论文的主要贡献：(1)提出了多层膜结构电容式绝对压力传感器形式，并以介电常数变化作为 传感器的基本原理。拓展了传统电容式压力传感器变电极间距或变电极接触面积的原理；(2)提出并 设计了一种CMOS兼容的高精度电容一电压转换电路，可应用于集成电容式传感器的设计和加工； (3)提出了一种CMOS工艺完全兼容的电容式绝对压力传感器的实现方式，避免了原有集成方式中 对CMOS工艺步骤和次序的改变。 本论文中提出的固体电容式传感器结构可以作为MEMS器件设计的一个基本原理单元。论文中 所进行的研究工作对MEMS传感器以及CMOS集成传感器的设计和加工有一定的参考价值。 关键词：电容式压力传感器，CMOS集成压力传感器，MEMS，电致伸缩增强效应，多层膜结构 ABSTRACT Mieromachinedsensorsareoneofthe researchareasin havefcoad pressure important MEMS，which wide inareAlssuch踮automotive and control，environmental applications systems，industrial monitoring biomedical sensortranslatesa intoa