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纳米级工艺对微处理器设计的挑战 胡伟武 李国杰 摘要：随着集成电路制造技术进入纳米级，国际上高性能通用 CPU 的发展正面临技术转型期。性能功耗比 继性能价格比之后正在成为计算机的主要设计指标，主频至上的计算机处理器设计技术正在终结，互连网 的普及正在改变计算机的应用模式，EDA 工具不断完善和成熟以及集成电路代工厂正在蓬勃兴起。上述技 术转型为我国在未来几年发挥后发优势，另辟蹊径，通过跨越创新实现突破提供了机遇。我们应该紧紧抓 住上述机遇，加大研发和产业化力度，实现跨越发展。 关键词：微处理器；摩尔定律；系统结构；技术转型；跨越创新 1 引言 在计算机发明以来的几十年中，半导体工艺技术和计算机系统设计技术互为动力、互相 促进推动着计算机工业乃至信息产业的蓬勃发展。一方面，半导体工艺水平的提高为计算机 系统的设计者提供了更多更快的晶体管来实现具有更多功能、更高性能的系统；另一方面， 计算机系统技术的发展为工艺进步提供了强大的动力，世界上最先进的半导体工艺都用于生 产计算机用的处理器芯片，这些工艺为处理器生产厂家所拥有。 应用需求也是计算机系统发展的动力源泉，但在工艺、系统和应用三者的关系中，应用 需求对工艺和系统的拉动作用远小于工艺和系统的发展对应用的推动作用。在主流的 PC 市 场，总是英特尔和微软从获取利润的角度引导计算机应用的发展；互联网也是先由科学家设 想和开发，后来才逐步向大众普及；计算机系统设计人员经常问的问题是“如何充分利用工 艺发展带来的数以亿计的晶体管”，而不是“满足特定应用的需求需要多少晶体管”。正是由 于工艺技术的快速发展导致了计算机工业乃至整个信息产业在工艺、系统和应用之间出现上 述“本末倒置”的现象。 20 世纪 60 年代，英特尔公司的创始人摩尔（Gordon Moore ）预测集成电路中单位面积 集成的晶体管数目大约每 18 个月翻一番。此后的三十多年，半导体工艺技术基本上按照摩 尔定律的预测发展。目前的微处理器已经在片内集成十几亿个晶体管。根据世界半导体行业 共同制订的 2005 年国际半导体技术发展路线图，未来 15 年集成电路仍将按摩尔定律持续高 速发展。半导体技术现在已经允许将许多种不同类型的晶体管（如 P 型和 N 型沟道 MOS 晶 体管，PNP 和 NPN 双极性晶体管，浮动栅器件，熔丝和反熔丝）集成到同一个衬底上, 并 允许将处理器和动态存储器集成到一块芯片上。半导体技术的这些进步，为处理器的设计者 提供了更多的资源来实现更高性能的芯片，从而有可能在单个芯片上创造更复杂和更灵活的 系统。 然而，随着工艺特征尺寸（feature size ）缩小到纳米级，工艺技术对结构的影响通过几 十年的积累产生了质的变化，主要体现在以下几个方面： （1） 片内晶体管数目的增加大大增加了芯片复杂度（目前复杂的微处理器内部已经 集成了几十亿个晶体管），晶体管特征尺寸的缩小则增加了物理设计的难度（纳米 级的物理设计需要考虑串扰、片内参数漂移、可生产性、电源完整性等一系列问题）， 这些都大幅度增加了设计成本及设计周期； 1 （2 ） 在 0.13 微米之后晶体管工作电压难以随着工艺的进步而降低，虽然每个晶体 管的功耗随着特征尺寸的缩小有所减少，但晶体管数目的增加以及主频的提高使得 整个芯片的功耗大幅度增加。此外纳米级工艺中晶体管的漏电量大幅度增加更对功 耗增加起着推波助澜的作用。功耗问题已经成为芯片系统设计的主要瓶颈。如果沿 用目前的电路和结构，到 2018 年左右，微处理器芯片的功耗将超过封装功耗极限 （200W/mm2 2 ）的4 倍（即达到 1KW/mm ）； （3 ） 集成度的提高意味着线宽变窄，信号在片内传输单位距离所需的延迟也相应增 大，在现代的高性能微处理器中，信号在一个时钟周期内传输的距离只相当芯片尺 寸的十分之一左右。导致连线延迟而不是晶体管翻转速度将越来越成为影响处理器 主频的主要因素； （4 ） 随着片内处理能力的进一步加