ST推出内置多重保护功能的八进制高端驱动器.pdfVIP

_竹l 霸l～ ‰ 一 舞 维普资讯 ， - 托 、 荨密 毒 ■f誊瑚 礤；嚣 “ 7～ 一一一 —瞽 i鼙蛰 、 薹= 誊 r IR推出一款600V NPT型 IGBT 热关断与 自动重启电路。当处于过负载 典型RDS(on)2．10时，温度系数分别为 国际整流器公司(Internati0nal 状态时，通道会 自动关断，然后 自动导 0，50℃／W 和 0，65℃／W 。 Rectifier，简称IR)日前宣布推出一款 通，使结温保持在关断温度与重启温度 600V NPT型IGBT— IRGP50B60PD， 之间。若这一情况让壳温达到关断限制 国家半导体 其 中联合封装有一个工作频率高达 的温度，过负载通道就会被关闭，仅在壳 增强高精度运放产品线 150kHz、电流 25A的HEXFRED二极 温降低到复位温度时才会重启。没有过 最近，美国国家半导体(NSC)发布 管。这款新品的推出扩展了高频IGBT／ 负载的通道照常继续工作。若接地引脚 了一系列运算放大器，使其针对高精度 HEXFRED二极管联合封装器件中的 被断开，VNS08就会关断。 放大器市场的产品种类更完整。该系列 wARP2产品系列。 VNS08的其它内置安全机制还包括 产品瞄准要求器件具有可控增益和偏置 IRGP50B60PD配备的HEXFRED 短路与欠压保护。该器件同时还具有极 值的高精度应用。该LMP产品系列在汽 二极管可处理更大的反向电流，在电信 低的待机电流特性，特别适合要求符合 车和工业温度范围内具有可控的偏置和 设备、服务器系统等设备(功率 1-12kW) IEC1131国际编程控制标准的工业应用。 增益规范。虽然售价不菲，该系列运放试 的大电流、高频率开关电源中实现高效 图与来 自凌特、美信(Maxim)、TI和ADI 率。它适用于功率因数修正(PFC)与全桥 IR推出 等公司的高精度产品竞争。 原边开关、大功率不间断电源、电焊机和 两款55VHEXF盯 功率HOSFET NSC半导体此次推出的产品包括 工业开关等应用 。 2005年02月17日，国际整流器公司 LMP2011／12／14放大器，它们具有60pv 新器件利用IR的薄晶圆制造技术， (InternationalRectifier，简称 IR)推出 的超低偏置，在一40~C到 125℃范围内温 有助于缩短少数载流子的消耗时间，加 两款获Q101证书的55V汽车电子 漂为零；以及LMP8270／71／72高共模电 快关断速度。其关断拖尾电流极小，关断 HEXFET功率M0SFETIRF3805S一7P 压差分放大器 。 开关损耗(E )很低，有助于设计人员提 和IRF1405ZS一7P。这两种器件可分别 测试和测量设备制造商是此类放大 高电路的运行频率。 提供连续电流 160A和 120A，设计用于 器的典型用户，NSC的高级设计经理 WARP2IGBT新产品具备更完善的 大占空比电流汽车 电子，如电功率控制 HuibertVerhoeven表示。但他同时指 开关性能，配合经优化的正温度系数特