PN结正向压降与温度关系研究.docVIP

PN结正向压降与温度关系研究 一、实验目的 1、了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。 2、在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。 学习用PN结测温的方法。PN结 早在六十年代初，人们就试图用PN正向压降随温度升高而降低的特性作为测温元件，由于当时PN结的参数不稳定，始终未能进入实用阶段。随着半导体工艺水平的提高以及人们不断地探索，到七十年代时，PN结以及在此基础上发展起来的晶体管温度传感器，已成为一种新的测温技术跻身于各个应用领域了。 度低且价格昂贵；而PN结温度传感器则具有灵敏度高、线性好、热响应快和体小轻巧等特点，尤其是温度数字化、温度控制以及用微机进行温度实时讯号处理等方面，乃是其它温度传感举所不能相比的，其应用势必日益广泛。目前结型温度传感器主要以硅为材料，原因是硅材料易于实现功能化，即将测温单元和恒流、放大等电路组合成一块集成电路。美国Motorola电子器件公司在1979年就开始生产测温晶体管及其组件，如今灵敏度高达lOOmV／℃、分辨率不低于0.1℃的硅集成电路温度传感器也已问世。 0.5％的条件下，其工作温度一般为一50℃～150℃，与其它温度传感器相比，测温范围的局限性较大，如果采用不同材料如锑化铟或砷化镓的PN结可以展宽低温区或高温区的测量范围。 SiC为材料的PN结温度传感器，其高温区可延伸到500℃，并荣获国际博览会金奖。自然界有丰富的材料资源，而人类具有无穷的智慧，理想的温度传感器正期待着人们去探索、开发。 PN结的正向电流IF和压降VF存在如下近似关系式。 (1) 其中为电子电荷；为玻尔兹曼常数；为绝对温度：为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明如下： P+N结(P+指P区为重掺杂)，在杂质导电范围内， ………………………………………(2) A为面积；N区的少数载流子(空穴)平均浓度；扩散系数。、和均随温度和材料的掺质浓度而变化。 根据热平衡公式（为本征载流子浓度）。把N区的少子浓度用掺杂来表示，则 ………………………(3) 为绝对零度时的禁带宽度。 利用(为少数载流子寿命)和爱因斯坦关系(为空穴迁移率)，将化为可改写成如下形式： ……………………………(4) 其中是与结面积、掺杂浓度等有关的常数；也是常数(r的数值取决于少数载流子迁移率与温度的关系，通常取r＝3.4)；为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差。将(4)式代入(1)式，两边取对数可得 (5) 其中:，。 方程(5)就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方程。令IF＝常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程(5)中，除线性项V1，外还包含非线性项。下面来分析一下项所引起的线性误差。 变为时，正向电压由变为，由(5)式可得 ……………(6) 按理想的线性温度响应，VF应取如下形式 ………………………………(7) 等于T1温度时的值。 由(5)式可得,代人（7）式得： ……………………………………… (8) 由理想线性温度响应(8)式和实际响应(6)式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为 (9) 设T1＝300K，T＝310K，取＝3.4，由()式可得＝0.048mV，而相应的20mV，相比之下误差甚小。不过当温度变化范围增大时，因子所致。 PN结的的依赖关系取决于线性项V1，即正向压降几乎随温度升高而线性下降， 综上所述，对给定的PN结材料，在允许的温度变化区间内，在恒流供电条件下，PN结的正向电压VF对温度的依赖关系取决于线性项V1，正向电压VF几乎随温度升高而线性下降。即： ………………………………(10) 这就是PN结测温的依据。 温度T是热力学温度，在实际使用时会有不便之处，为此，我们进行温标转换，采用摄氏温度t来表示。即T=273.2＋t 令VF在初始摄氏温度为tR时的值为,则在摄氏温度为t时的值为，代入公式(10)得： ＝ 设=0C时，令=0，则有： ＝ ……………（11） 而对于其它温度0C，有。定义为PN结温度传感器灵敏度，则有： 其中： 这就是PN结温度传感器在摄氏温标下的测温原理公式。 PN结测温的依据。必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离，本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说，温度范围约-50℃～150℃)。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加，—关系将产生新的非线性，这一现象说明—的特性还随PN结的材料而异，对于宽带材料(如GaAs)的PN结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小(如Insb)的PN结，则低温端的线性范围宽，对于给定的PN结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其