晶圆边缘缺陷的控制策略.pdfVIP

PROCESSING~_I艺与制造 M．ANUFACTURING 用。在相对短时间内可以进行数千次 样 ，高生产率 开发方法可以获得 多 可变成本 ，无论是 当前还是未来 实验的能力，已经获得的知识可以让 重好处 。一是 工程人 员可以权衡大 都是如此 。这实 际上是在任何经 我们可能去衡量很多替代化学品。 量的可能成分 ，包括 那些可能会带 济条件下都值得去争取 的收益 。 对精选分子的相互作用进行重新 来历史性突破的创新方案 。在更短 与此 类 似 ，提 高 的流 程 效率 可 以 设计是一个颇具威力的主意。可以将 的时 间内探索更多的因素 ，这可能 直 接 降低 材料 的消耗 。而 且 很 可 单一变化对整个工艺的影 响进行放 会 改变我们传 统 的思维方式 ，例 能会减轻 有害物质 的产生 ，这也 大。剔除无效化学品或者不切实 际 如 ，采用干法 工艺取代原来的某种 降低 了与此相关 的管理和运输成 的需求 ，每次改进都相当于打开了一 湿法工艺 ，或者将某种有毒物质替 本 。 扇通向高生产力方向的大门。在这个 换成绿色的化学品。 考虑到当前经济环境对利润的压 层次上同时进行剔除性实验使得我们 采用 高生产率 开发方法 的另一 力，制造商们应该尽可能地削减可变 可以在主要备选方案上更加集中一一 个动机是提高吞 吐率 。令人惊讶 和决策成本。但必须要进行的花费是 不仅是效能的问题 ，而且也关 系到成 的是 ，一 些 半 导体 制 造 商在 当前 这种具有高带动效应的研发活动，比 本 、对环境的影响或一系列其他标 的衰退期还抵制这样 的 目标 。在 如高生产率开发方法。这样可以有效 准。此外，该流程还需要与客户的密 他们 看 来 ，提 高吞 吐率 就 是在生 的降低将新材料和工艺 引入fab的时 切合作，实验的设计要建立在客户的 产 线 上 添 加 额外 的设 备 。按 照这 间和成本。最终可以缩短新产品的上 需求基础上 ，在筛选和实施新材料 样 的逻辑 ，新 的设备 需要像 能量 市时间。在这类研发行为上的花费也 上 ，可以进一步降低公司的时间和风 和人手这样 的资源 ，因此开动那 代表着一家公司在未来技术节点上的 险成本。 些 限制 的产 能则 意 味着 增加 资本 投资。随着投入时间和成本的降低， 消耗和提高运 营成 本 。但这种观 高生产率开发方法可以帮助半导体制 再次审视回报 点却忽 略 了财 务 准 则的核 心 ：提 造商从分子级别的实验获得成本控制 就像前述例子 中体现 出来 的那 高每 台设备 的吞 吐率等于更低 的 的最大收益 。0 (上接P25) 在4x及以下节点的刻蚀层中也有 产 品 的 共 同 缺 陷 类似的结果。对采用不完整芯片检查 ·圈蛐 一 ■互置C ■■嗣■圈圈■瞄 的晶圆缺陷分布 ，还有完整芯片和不 完整芯片检查得到的缺陷密度进行比 较。在所有的三层中，不完整芯片检 查都得到了特别的缺陷分布结果 ：表 面颗粒分布 (4x)；微粒引起的薄膜 凸起分布 (4x)；以及与掉落微粒相 关的新缺陷分布 (3x)。