第4章+薄膜的化学气相沉积.pptVIP

* 特点： 分子级的混合工艺（甩胶或提拉）； 无需大型设备和复杂的真空系统； 异形沉积。 影响形成sol-gel的主要因素： （1）环境的温度T=35℃左右； （2）溶剂； （3）浓度； （4）催化剂-冰乙酸。 * 二、 Sol—Gel工艺过程 以制备钛酸锶钡（BaxSr1-xTiO3，简称BST）薄膜为例： 步骤 1：用电子天平称量出一定的纯乙酸钡[Ba(CH3COO)2]晶体，放入烧杯中。 * 步骤 2 ：由钛酸锶钡的分子式算出纯乙酸锶[Sr(CH3COO)2]晶体的质量，由天平称量出后也放入同一烧杯中。 步骤 3 ：加入适量乙酸（CH3COOH），用磁力搅拌器搅拌至溶液澄清，然后加入适量乙二醇甲醚。[HO(CH2)2O(CH2)2OCH3]再搅拌到溶液澄清。 * 步骤 4 ：再由钛酸锶钡的分子式算出钛酸丁脂[Ti(OC4H9)4]的质量，由电子天平称量出后溶于适量乙二醇甲醚后，缓慢倒入刚才的烧杯，不断搅拌到溶液澄清。 步骤 5：定容。根据需要由摩尔比算出溶液的体积，加入乙酸溶液，然后搅拌均匀。 步骤 6：甩胶。将硅片放在甩胶机中心，用机械泵吸住硅片，然后在其中心滴两滴左右的溶液，用匀胶机甩胶，形成一层薄膜。 * 步骤 7：预烧。目的是将薄膜中的水和一些有机物挥发，温度一般在450℃左右。 步骤8：重复6、7步，根据需要做多层膜（一般10层以上）。 步骤9：高温烧结。在700°C左右的温度下让薄膜结晶，得到所需要的BST薄膜。 步骤10：分析测试。 * * Metal electrode SiO2 BST film Si Pt衬底 Si衬底 * 二、 Sol—Gel工艺优缺点 1.优点： 薄膜组分纯度高，组分控制精确。 微区组分具有高度的均匀性。由于前驱体的配置是在溶液中进行，使均匀性可达到亚微米级、分内米级、甚至分子级水平。 易于调整组分，引入多种组分制备复杂溶体薄膜。 设备简单，成本低。适于工业化生产。（无复杂的真空系统）。 * 2.缺点： 退火过程中薄膜与衬底间存在界面反应。影响薄膜的结构与性能。 有些铁电薄膜工艺层次多，生成温度高，对集成工艺兼容困难。 薄膜样品易开裂。热处理后，其产生的主要原因有：基片材料的影响 、杂质的影响、凝胶收缩的不均匀和热处理过程的影响。 * 四、Sol—Gel工艺的应用 1. 在电子陶瓷方面 a）铁电存储器：Bi4Ti3O12、PZT、 PLZT 等 b）热释电探测器：BST红外焦平面，PZT红外探测器。 c）半导体传感器：SnO2，气敏传感器。 d）燃料电池：YSZ固体电介质膜。 e）形状各异的超导薄膜，高温超导纤维等 * 2．在光学方面： Sol—Gel技术可用于制造各种光学膜。 如：①高反射膜，减反射膜等。 ②光导纤维，折射率梯度材料，波导光栅。 ③稀土发光材料。 * 3. 在热学方面： ①用该法制备的SiO2—TiO2玻璃非常均匀。热膨胀系数小，化学稳定性好。 ②已制成的InO3—SnO2（ITO）大面积透明导电膜具有很好的导电性能和透光性能。 ③制成的SiO2气凝胶具有超绝热性能。 * 4. 在化学材料方面： ①超微细多孔滤膜具有耐温。耐压、耐腐蚀等特点，且孔径可以调节。 ②超细氧化物已被广泛应用在金属、玻璃、塑料等表面作为氧化物保护膜，其抗损和抗腐蚀能力大为增强。 ③催化剂具有高化表面，大孔容和孔径均匀等特点。 * 五．问题与发展方向 关于Sol—Gel技术的基本理论、工艺方法和应用尚待探索的问题有： ⑴对硅体系以为，其它体系的详细动力学知识。 ⑵与H2O、C2H5OH等普通溶剂相反的惰性溶剂的应用。 ⑶溶胶在陈化过程中发生的物理化学变化。 ⑷多组分体系有关络和物的形成和反应特性。 ⑸非氧化物的Sol—Gel制备化学。 * 作 业 1. 以一级反应为例，推导化学反应方向的自由能判断表达式。并应用自由能判断说明要达到可控地实现薄膜的化学气相沉积的目的，应如何设计化学反应？ 2. 试说明边界层存在的原因及其影响因素，扩散与对流作为气体输运的两种机制，它们对CVD沉积速率有何影响？ 3. 试比较PVD、CVD和Sol—gel工艺技术的原理、结构及应用方面的优缺点？ * 低温CVD (low temperature CVD )：在低温条件下实现CVD。 常用的加热方法： 电阻加热、射频感应加热、红外灯加热法和激光加热法 * 高温和低温CVD各自应用领域： 高温CVD：强调薄膜晶体的质量，主要用于制备半导体外延膜，以确保薄膜材料的生长质量；金属部件耐磨涂层的制备；