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臺北巿立教育大學
九十八學年度研究所碩士班入學考試試題
所 別：自然科學系碩士班(科學組物理科)
科 目：電磁學
考試時間：90分鐘【08:20 ? 09:50】
總 分：100分
注意：不必抄題，作答時請將試題題號及答案依照順序寫在答卷上；限用藍色或黑色筆作答，使用其他顏色或鉛筆作答者，所考科目以零分計算。(於本試題紙上作答者，不予計分。)
(a)請寫出帕松方程式(Poisson’s equation)和拉普拉斯方程式
(Laplace’s equation)，並說明之。(12%)
(b)請分別用電場和磁場的場量(例如電場強度E、電通密度D、磁通
密度B、磁場強度H等)表示出電能密度和磁能密度，並說明之。
(13%)
有一半徑為b的球狀電子雲，在電子雲內部區域的體電荷密度為(和b均為正值)，電子雲外的體電荷密度則為0，試求這電子雲內、外的電場強度E。[提示：高斯定律(Gauss’s law)] (25%)
一個帶正電的點電荷Q被置於無限大的接地導體平板(電位為零)上方距離為d處，求出在導體平板上方空間之電位分布V(x,y,z)。[提示：虛像法(method of images)] (25%)
有一無限長之圓柱狀導體，圓截面的半徑為b，載有均勻分布之軸向(與圓截面垂直)穩定電流I，試求導體內和導體外的磁通密度B。[提示：安培迴路定律(Ampère’s circuital law)] (25%)
（第1頁，共2頁）
不得使用計算機或任何儀具。
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