Ch半导体中的杂质和缺陷能级.pptVIP

2.1 Si、 Ge中的杂质能级 重点和难点 施主杂质、施主能级、n型半导体； 受主杂质、受主能级、p型半导体； 施主杂质和受主杂质的电离能 杂质的补偿作用； 浅能级杂质和深能级杂质 杂质浓度：描述杂质的含量多少 1/cm3 引入的杂质能级位于禁带中 2.1.2 施主杂质、施主能级 一、施主杂质：当五价元素磷（或锑）在硅中成为替位式杂质并且电离时，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。 磷替代硅，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+的周围（弱束缚）。 二、N 型半导体：本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 三、施主电离 施主杂质释放电子的过程叫施主电离。 未电离时是中性的，称为束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为离化态 杂质电离能 杂质电离能：使多余电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量，ΔED (Donor) 硅、锗晶体中V族杂质的电离能（eV） 2.1.3 受主杂质 受主能级 一、受主杂质：当三价元素，如硼（或铟）在硅中成为替位式杂质并电离时，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。 但硼离子对这个空穴的束缚是弱束缚，很少的能量就可以使空穴挣脱束缚，成为在晶体的共价键中自由运功的导电空穴。 硼原子成为多了一个价电子的硼离子（B- ）----不能移动的负电中心。 二、 P 型半导体：本征半导体中掺入B等Ⅲ族元素后，空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 三、受主电离 受主杂质释放空穴的过程叫受主电离。 未电离时是中性的，称为束缚态或中性态；电离后成为负电中心，称为受主离化态 杂质电离能 杂质电离能：使多余空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的能量，ΔEA (Acceptor) 硅、锗晶体中Ⅲ族杂质的电离能(eV) 四、受主能级和受主电离 把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级，EA 。 2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 类氢原子模型的计算 氢原子： 两个修正： a， ε0→ε0εrεr(Si)=12 εr(Ge)=16.2 b, m0 → m* 注意Si, Ge多能谷效应， ΔED(A)~ 几十meV 实测值与理论估算结果 具有相同的数量级 Ge ΔED=0.0064eV Si ΔED=0.025eV 2.1.5 杂质的补偿作用 在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 空间角度的理解：施主周围有多余的价电子，受主周围缺少价电子，施主多余的价电子正好填充受主周围空缺的价键电子，使价键饱和，使系统能量降低 稳定状态 2.当NA 》ND 时 施主能级上的全部电子跃迁到受主能级后，受主能级上还有NA – ND空穴，它们可以跃迁入价带成为导电空穴， 所以，p= NA – ND ,半导体是p型的。 2.1.6 深能级杂质 在Si、Ge中掺入非Ⅲ、Ⅴ族杂质后，在Si、Ge禁带中产生的施主能级ED距导带底EC较远，产生的受主能级EA距价带顶EV较远，这种杂质称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。 深能级杂质特点： 深能级杂质能级离带边较远，ΔED, ΔEA可与Eg相比拟 深能级杂质可以多次电离，每一次电离相应有一个能级。在硅、锗的禁带中往往引入若干个能级。且有的杂质既引入施主能级又引入受主能级（两性杂质）。 深能级杂质特点 不容易电离，对载流子浓度影响不大 一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。 能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低（在第五章详细讨论）。 深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物的杂质能级 GaAs中的杂质 替位式杂质：取代III 族、V 族位置 间隙式杂质：处于4 个III 族（V 族）原子围成的正四面体 各族元素在GaAs中的杂质行为(1) 1. I 族Ag, Au 受主 2. II 族Be 取代Ga位，少1 个价电子，受主（浅） 3. III 族In 取代Ga位，既不缺少价电子，也不多余价电子----等电子杂质 4. IV 族Si 既可以取