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半导体二极管 练习题 一、填空 1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。 2. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。 3. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。 4. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 5. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 6. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。 7. PN结正偏是指P区电位 N区电位。 8. PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。 9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 11. 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。 12. 二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 13. 温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 14. 硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。 15. 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的。 16. 发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。 17. 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 18. 光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 19. 普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 20. PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。 二、单选题 1. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 2. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID IZ且ID IZM C. IZ ID IZM D. IZ ID IZM 3. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 4. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 5. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 6. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 7. PN结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 8. 在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 9. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 10. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 三、判断题 1. 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） 2. 二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 （ ） 3. 二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。 （ ） 4.