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半导体前三单元答案.doc
P32半导体习题
析：（1）由题意可得：
同理
（2）由于
（即导带底电子有效质量）
（3）同理有
（即价带顶电子有效质量）
（4）处于价带顶时k＝0，则准动量P1＝hk＝0
处于导带底时，则准动量
准动量变化
析：有题意可得
两边积分得
其中a为晶格常数（a＝0.25nm）
分别把 E＝102V/m
E＝107V/m
代入得t1=8.310-8s
t2=8.310-13s
P81
析：由题意可得
（1）
（2）
（3）
其中h＝6.62510－23JS为普朗克常数
k0＝1.38010－23J/k为玻尔兹曼常数
T＝300K , 1ev=1.610-19J
分别把数据代入（1）（2）（3）式得
对Si而言
对Ge而言
Eg＝0.67eV
对GaAs而言
Eg＝1.428eV
7．析：由题意可得
（1）
同理
代入数据得
当T＝77K时
当T＝300K时
（2）由题意得 n0＝n0＋＋P0 而P0＝0
n0＝n0＋
9. 析 由题意可知在室温下
Si的ni＝7.8109cm-3 ， Nc＝2.81019cm-3
当时，则有
当时，则有
当时，则有
而
当时
当时
当时
综上可得假设对成立。但对，不成立。
杂质全部电离的浓度上限为
当浓度大于时，则不满足上述假设。小于时则成立。
P82
13. 解 （1）由题意可得：
当=0.044ev时
而
因为有
(2) 当T=300K时
(3) 当T=500K时 代数据得
（4）当T=800K时 代数据得
16 解：由题意可得，当掺砷原子时形成的n型半导体，当掺In原子时形成的p型半导体,因为砷原子的浓度大于铟原子的浓度，所以为n型半导体，则有
（1）当T=300K时，
（2）当T=600K时
17 解：由题意可得，当T=400K时
20 解：（1）由题意可得
在强电离区：
（2）
靠近饱和电离区
(3)当时
更靠近饱和电离区
（4）当时
靠近本征激发区
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