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半导体器件测试 一、单项选择题：（每题2分，共30分） 1、掺杂半导体中多数载流子浓度取决于（ ） A 温度 B 杂质浓度 C 光照 D 电子空穴对 2、在外电压作用下，空穴与电子运动电流方向（ ） A 相同 B 相反 C 与外电压无关 D 不能确定 3、在PN结加反向电压时,扩散电流( )漂移电流。 A 大于 B 小于 C 等于 4、以下对二极管说法正确的是（ ） A 二极管正向电阻大，反向电阻小，且相差越大越好 B 二极管具有放大作用 C 二极管具有单向导电性 D 稳压二极管与一般二极管相互使用 5、用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（ ） A 夹断区 B 恒流区 C 可变电阻区 D 以上区域都可以 6、硅二极管开始导通电压是( ) A 0.2V B 0.3V C 0.5V D 0.7V 7、为了使三极管可靠的截止，电路必须满足（ ） A 发射结正偏 B 发射结反偏 C 发射结和集电结均反偏 D 发射结和集电结均正偏 8、用万用表测得某电路中硅三极管的正极电压为2V，负极电压为1.5V，则二极管所处的状态（ ） A 正偏 B 反偏 C 开路 D 击穿 9、半导体二极管导通的充分且必要条件是（ ） A 加正偏电压 B 加反偏电压 C 加大于死区电压的正向偏压 D 加小于死区电压的正向电压 10、面接触型晶体二极管比较适用于（ ） A 小信号检波 B 大功率整流 C 大电流开关 11、3DG120A型三极管饱和导通时其集电极与发射极之间的饱和压降VCES的值为（ ）A 0.7V B 0.4V C 0.3V D 0.1V 12、场郊应管的转移特性曲线是在VDS为固定值时（ ）的关系曲线。 A VGS与IG B VDS与ID C VGS与ID D VDS与VGS 13、场效应管的跨导表征的是（ ）控制作用。 A VDS对ID B VGS对VDS C VGS对ID D IG对VDS 14、结场效应管工作时应加上（ ）栅源电压。 A 正向 B 反向 C 0 D 正向或反向 15、光电二极管有光线照射时，反向电阻（ 0 A 减少 B 增大 C 基本不变 D 无法确定 二、填空题：（每题1分，共10分） 1、二极管长期运行时允许通过的最大正向电流称为（ ）。 2、二极管反向工作电压VRM是二极管正常使用时所允许加的（ ）。 3、场效应管的转移特性曲线是反应（ ）和（ ）之间关系。 4、场效应管的工作区域是（ ）（ ）（ ）。 5、三极管是一种（ ）控制器件，场效应管是一种（ ）控制器件。 6、2AP系列晶体管是（ ）半导体材料制成的，2CZ系列晶体二极管是不是（ ）半导体材料制成的。 三、判断题：（每题1分，共10分） 1、本征半导体中可以导电。 2、N 型半导体主要靠自由电子导电，因此带负电。 3、两个二极管可以合成一个三极管。 4、随着反向电压增加，二极管反向电流也会增加。 5、N沟道结型场效应管导通的条件是VGS≤0。 6、穿透电流是多数载流子形成的电流。其值越大，三极管的稳定性越差。 7、晶体二极管击穿立即烧毁。 8、三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以E 极和C极可以互换使用。 9、对于NPN型三极管，当VBE＞0，VBE＞VCE，则该管的工作状态是饱和状态。 10、在硅本征半导体中掺入五价元素就会形成P型半导体。 四、简答题； 1、画出N沟道结型、增强型、绝缘栅型场效应管的转移特性曲线。 2、对于NPN型三极管，试根据下列数据，判断出相应的工作状态： （1）VBE＞0，VBE＜VCE （2）VBE＞0，VBE＞VCE （3）VBE＜0，VBE＞VCE 3、画出二极管伏安特性曲线（硅管和锗管）并标出各分区。 五、计算题： 1、三极管工作在放大状态时，万用表测得三极管三个管脚电压如图所示。试判断各管子的管脚、管型和半导体材料。 2、某场效应管的输出特性如图所示，试判断： （1）该场效应管的类型。 （2）它的夹断电压或开启电压大约是多少？ （3）饱和漏极电流大概是多少。 3、某三极管的输出特性曲线如图所示，求IB=40UAM，VCE=25V时，管子的交流电流放大系数和直流电流放大系数，穿透电流。 4、判断二极管是导通还是截止？ 4