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半导体大题.doc
5 计算含有施主杂质浓度为ND=9(1015cm-3，及受主杂质浓度为
1.1(1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
6.掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K
时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。
5. 室温下，在本征硅单晶中掺入浓度为1015cm-3的杂质硼后，再在其中掺入浓度为3×1015cm-3的杂质磷。试求：（1）载流子浓度和电导率。（2）费米能级的位置。
（注：电离杂质浓度分别为1015cm-3、3×1015cm-3、4×1015cm-3和时，电子迁移率分别为1300、1130和1000cm2/V.s，空穴迁移率分别为500、445和400cm2/V.s；在300K的温度下，，，，）
答案：（1）室温下，该半导体处于强电离区，则多子浓度
少子浓度；
电导率（2分）
（2）根据
可得
所以费米能级位于禁带中心之上0.31eV的位置。
6. 电阻率为10(.m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。
解：查表4-15(b)可知，室温下，10(.m的p型Si样品的掺杂浓度NA约为,查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为,
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