半导体器件第六章.docVIP

▲理想MOS二极管的工作原理。（说明栅极电压分别为负，零及其正偏电压）。 答：当一理想MOS二极管偏压为负时，半导体表面可能会出现三种情况，P型半导体而言，当一负电压施加于金属平板上时，界面将产生超量的空穴，接近半导体表面的能带向上弯曲，如图，对理想二极管而言，不论外加电压为多少，器件内部均无电流流动，所以半导体内部的费米能级将维持为一个常数，在半导体内部的载流子密度与能级差成指数关系，即____________________。 半导体表面向上弯曲的能带使得的能级差变大，进而提升空穴的浓度，而在氧化层与半导体的界面处产生空穴堆积，称为积累现象。其相对应的电荷分布如图所示，当外加更大的正电压时，能带向下弯曲的更严重，使得表面的本征能级越过费米能级，如图，正栅极电压将在界面处吸引更多的负载流子（电子），半导体中电子的浓度与能差成指数关系，即_________________________________。 ▲MOS二极管出现反型标志，强反型标志各是什么？出现强反型时，导电沟道厚度特点。 答：①当外加一小量正电压于理想MOS二极管时，靠近半导体表面的能带将向下弯曲，使形成多数载流子（空穴）耗尽，称为耗尽现象。在半导体中，单位面积的空间电荷的值为，其中W为表面耗尽区的宽度。②图略 ③随着正偏电压的增大，Ef-Ei0，在半导体表面上的电子浓度将 于，而空穴浓度将小于，即表面载流子呈现反型，称为反型现象。 ④起初，因电子浓度较小，表面处于弱反型的状态，当能带持续弯曲，使得导带的边缘接近费米能级，当靠近SiO2~Si由界面的电子浓度等于衬底的掺杂量时，开始产生强反型，在此之后，大部分在半导体中额外的负电荷是由电子在很窄的n型反型层（）中产生的电荷Qn，如图所示，组成，其中为反型层的宽度，典型值的范围从1nm~10nm，且通常远远小于表面耗尽的区域。 ▲MOS二极管半导体表面耗尽层厚度与半导体表面静电势之间的函数关系？在强反型时两者之间的函数关系呢？并弄够从泊松方程进行推导。 答：电势距离为函数，可由一维的泊松方程求得为______________________。 其中为位于x处的单位体积电荷密度，而为介电常数。 下面采用耗尽近似法分析，p-n结，当半导体耗尽区宽度达到W时，半导体内的电荷为，积分泊松方程可得距离x的函数的表面耗尽区的静电势分布：________。 表面电势______________。注意此电势分布与单边的结相同。当时表面即发生反型，然而，我们需要一个准则来表示强反型的起始点超过该点表示此时反型层中的电荷数已经相当显著。 设定表面电荷等于衬底杂质浓度是一个简单的准则，即，因为由式__________可得_________________，上式表示需要一点事将表面的能带弯曲至本征的条件（）,接着还需要一额外电势，以将表面的能带弯曲至强反型的状态。 ▲MOS二极管强反型时最大耗尽层厚度表达式，表面静电势表达式及其空间电荷区电荷表达式？ 当表面为强反型时，表面的耗尽区宽度达到最大值，因此，当等于时，可得到表面耗尽区的最大宽度__________________________________________________。 ▲理想MOS二极管在外加电压条件下的能带图，电荷分布图，电场分布图和电势分布图。 答：图（a）为一理想MOS二极管的能带图，电荷的分布情形如图（b）所示，在没有任何功函数差时，外加的电压部分降落在氧化层，部分降落在半导体，因此____________其中为降落在氧化层的电压，且由图（c）可得___________。其中为氧化层中的电场，为半导体中每单位面积的电荷量，而为每单位p阱分布于氧化层内部，大部分与工艺有关。单位面积的氧化层电容，其相对应的静电分布如图（d）所示。 ▲理想MOS二极管总电容，氧化层电容，半导体势垒电容之间的关系（曲线图）。 答：MOS二极管的总电容C是氧化层电容与半导体中的势垒电容相互串联而成，如图。 其中，如同突变p-n结一样，由上式和_____________________，可以消去W而得到电容的公式为_________________________。 ▲平带电压的定义 考虑一在独立金属与独立半导体间的氧化层夹心结构，如图（a）。在此独立的状态下，所有的能带均保持水平，即平带状况。当三者结合在一起，在热平衡状态下，费米能级必为定值，且真空能级必为连续，为调节功函数差，半导体能带需向下弯曲，如图（b），一次在热平衡状态下，金属含正电荷，而半导体表面则为负电荷，为达理想平状况，需外加一相当功函数差的电压此对应至图（a）的状况，在此需在金属外加一负电压，此电压称为平带电压。 ▲界面陷阱电荷，氧化层固定电荷，氧化层陷阱电荷以及动离子电荷的形成特点及其消除方法。