半导体器件 复习.docVIP

自由电子的E-K表达式为，当电子势能为常数时，德布罗意关系式 是成立的，E-K曲线的曲率是 常数 。 由迁移率公式 ，，说明任何一种散射机制下的载流子迁移率都是由 电导率有效质量 和 散射时间 决定的。 光子的能量大于 禁带宽度 的光照射半导体，可以产生 电子空穴对 ，因为光子的 波矢 非常小，直接带隙半导体的电子是垂直跃迁，对于间接带隙半导体需要 声子来提供电子跃迁所需的波矢变化。P115 对于大多数电子器件来说，器件电流是由具有足够能量来越过器件内 不同势垒 的 电子空穴对数目 决定 电子和空穴按能量的分布情况，由 态密度函数 函数和费米－狄拉克几率函数决定。 通过改变半导体材料中的 掺杂浓度 或组分，可以产生内建电场，利用这些电场可以提高 半导体器件 的性能。 电子的连续性方程为，则空穴的连续性方程为 。 金属—半导体接触出现两个最重要的效应：其一是整流效应，其二是欧姆效应。前者称为整流接触，又叫做整流结。后者称为欧姆接触，又叫做非整流结。03bd12 PN结在正偏压的作用下，空间电荷区势垒下降，N区电子扩散进入P区，P区空穴扩散进入N区，成为对方区域中的少数载流子。这种现象称为少子注入。PN 结在反偏压作用下，空间电荷区势垒升高。飘移运动占优势，N区少子空穴在外场作用下飘移进入P区，同样P区电子在外场作用下飘移进入N区，这种现象叫做少子抽取。 二、简答题 为什么在反偏时pn结的产生电流大于复合电流；而在正偏时复合电流大于产生电流。 答：因为在反偏时，虽然过渡区变宽增加载没有流子产生和复合的机会，但是反偏条件下，过渡区的大部分区域的电子浓度n和空穴浓度p都很小，几乎电子和空穴发生复合，所以产生电流大于复合电流；而正偏状态下np远远大于，从而复合电流大于产生电流。 太阳电池和光电二极管的主要异同点有哪些？ 答：相同点：都是应用光生伏打效应工作的器件。 主要不同点：a、太阳电池是把太阳能转换成光能的器件，光电二极管的主要作用是探测光信号；b、太阳电池工作不加偏压而光电二极管工作要加反向偏压；c、光电二极管存在带宽问题，太阳电池则不存在带宽问题。 什么是沟道长度调制效应?。P319图 答:夹断条件规定为两个空间电荷区在沟道中心相遇，当漏极电压进一步增加时，沟道中更多的自由载流子耗尽。结果是耗尽区的长度增加，电中性的沟道长度减小。这种现象称为沟道长度调制。 热平衡PN结中存在着内建电势差，将PN结短路，会不会有电流通过？为什么？能不能用万用电表测量出该电势差？为什么？ 答：不会，由于内建电势差的存在，使载流子飘移电流和扩散电流相互抵消，即内建电势差维持了P-N结载流子的分布平衡。不能，万用电表探针与半导体接触会产生接触电势差，它们与内建电势差抵消。 三、根据证明：热平衡时 证明：电子电流为 处于热平衡时，In＝0 ，又因为 所以，又因为（爱因斯坦关系） 所以，从作积分，则 。 图2给出了半导体掺杂了受主的能带图，类似的画出半导体中掺杂了施主后的能带图。 图2 五、下图中的三根特性曲线分别对应的是哪三种MOSFET模型？P334 图3 三种MOSFET模型和实验数据的比较 双极结型晶体管E-M 方程为：, ,根据以上公式写出BJT四种模式下E-M方程的具体形式。（16分） 解：正向有源模式： 反向有源模式： 饱和模式： 截止模式： 七 简述一下硅晶体管的基本工艺流程，并说明为什么要求硅的精度非常高并且无缺陷。