半导体参杂综述.docVIP

1．引言 半导体材料是最重要最有影响的功能材料之一，它在微电子领域具有独一无二的地位，同时又是光电子领域的主要材料[1]。其发展大致经历了以下几个阶段:上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代; 超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”,使人类跨入到量子效应和低维结构特性的新一代半导体器件和电路时代[2]。 现阶段，国际上已经发展并且最有前途的半导体材料主要包括[3]：硅(Si）、锗(Ge)（第一代半导体材料）、III-V族化合物（GaAs, InP等，第二代半导体材料），II-VI族化合物等单晶（CdSe等），IV-IV 族化合物（SiC 等，第三代宽带隙半导体）单晶、微晶、纳米晶和非晶半导体。 半导体材料掺杂 2.1半导体掺杂原因 完全纯净、具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体[4]，在绝对零度温度下，本征半导体的价带是满带，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会获得足够的能量，越过禁带进入能量较高的空带，并在价带中形成带正电的空位(空穴)，上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为载流子。但是常温下本征半导体中载流子浓度很低，电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。 为改变半导体材料的载流子浓度和导电类型，我们将一定数量和一定种类的杂质掺入其中，以硅晶体为例，掺入的杂质主要有Ⅲ、Ⅴ族的硼、磷、砷、锑等，这些杂质在晶体中一般能替代硅原子，占据晶格位置，并能在适当温度下电离形成自由电子或空穴，控制和改变晶体的导电能力，上述过程就称为掺杂。根据所掺杂质不同，又可以形成P型半导体和N型半导体。 2.2掺杂方法介绍 半导体掺杂的两种主要方式包括高温扩散和离子注入。 高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由高温扩散的方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。 离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。 在半导体制造刚刚开始的阶段，高温扩散是晶片掺杂的主要手段。而随着超大规模集成电路 （VLSI）技术的发展，半导体芯片的特征尺寸越来越小，相应的器件也越来越小，扩散工艺已很难满足生产要求，现在晶片制造中几乎所有的掺杂工艺都是用离子注入实现的。 此外，目前发展的一些掺杂新技术还包括以下几种： 等离子体浸没掺杂[5]（PIIID）：该技术最初是1986年在制备冶金工业中抗蚀耐磨合金时提出的，1988年，该技术开始进入半导体材料掺杂领域，用于薄膜晶体管的氧化、高剂量注入形成埋置氧化层、沟槽掺杂、吸杂重金属的高剂量氢注入等工序。具有如下优点：（1）以极低的能量实现高剂量注入；（2）注入时间与晶片的大小无关；（3）设备和系统比传统的离子注入机简单，成本低。 投射式气体浸入激光掺杂[6]（P-GILD）:该技术是一种变革性的掺杂技术，它可以得到其他方法难以获得的突变掺杂分布、超浅结深度和相当低的串联电阻。通过在一个系统中相继完成掺杂、退火和形成图形，P-GILD技术对工艺有着极大的简化，这大大地降低了系统的工艺设备成本。近年来，该技术已被成功地用于CMOS器件和双极器件的制备中。 快速汽相掺杂（RVD）该技术以汽相掺杂剂方式直接扩散到硅片中，以形成超浅结的快速热处理工艺。其中，掺杂浓度通过气体流量来控制，对于硼掺杂，使用B2H6为掺杂剂；对于磷掺杂，使用PH3为掺杂剂；对于砷掺杂，使用砷或TBA（叔丁砷）为掺杂剂。目前，RVD技术已被成功地用于制备0.18mm的PMOS器件，其结深为50nm。该PMOS器件显示出良好的短沟道器件特性。 3.离子注入技术概述 自20世纪60年代开始发展起来的离子注入技术是微电子工艺中定域、定量掺杂的一种重要方法，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型，以达到改变材料电学性能的目的[7]。离子注入技术的应用，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展，从而使集成电路的生产进入了大规模及超大规模时代（ULSI）。 3.1离子注入原理及特点[8-9] 离子注入是将被注入物质以某种方式电离，然后经电场加速，使之进入靶材料表面的一种重要的材料制备工艺技术。当具有不同入射能量的杂质离子进入靶内时，将与靶中的原子核和电子不断发生碰撞，在碰撞时离子的运动方向发生偏折，并不断失去能量，最后在靶中的某一点停止下来，因而离