半导体制作.docVIP

第二章 材料的基本結構 2.1 原子結構 2.2 原子間的鍵結 2.3 晶體結構 2.4 單晶/複晶與非晶體結構 2.5 晶體缺陷 2.6相圖與相變化 2.7 材料製程方式 2.8 材料量測與分析 材料的特性與物質的結構有密不可分的關係。例如導體，半導體，與絕緣體等材料，因物質結構的差異，導致迥然不同的導電特性，也造成各有不同的應用領域。即使同一類型的材料(如同樣的半導體)，可能因為材料成份與微結構的差異，造成電，磁，光，熱….等特性的改變。因此若要能充份掌握與運用各種材料，首先必須了解物質的結構。 物質的結構與材料的類別有關。例如大部份的固體電導材料或半導體材料是由原子規則排列而成的晶體結構(crystal structure)所組成。液體與氣體大部份是簡單幾個原子組成的分子(如H2O水分子，H2，CO2氣體分子)，形成無規則排列的非晶體結構(amorphous)。此外，還有以碳，氫元素為主，以數百(或上千)的原子聚合形成鏈狀的高分子材料。例如大多數的有機絕緣材料，如塑膠，橡膠，樹脂等，都屬於這類的結構。儘管物質有各種不同的結構，但我們注意到它們都有共同點 - 組成的基本單位皆為原子(atom)，因此我們首先介紹原子結構。了解原子結構特性之後，我們可再由原子間的鍵結力，探討原子排列方式的成因，以及各種不同的晶體結構。 2.1原子結構 原子的基本組成包含電子(electron)，質子(proton)與中子(neutron)。電子帶有庫倫的負電荷，質子帶有等量的正電荷，中子不帶電。質子與中子的質量相等，電子質量非常小，只有質子的1/1837倍。 一個中性原子的電子數與質子數目相等，此一數目決定該原子的基本特性，我們稱該數目為原子序。中子數目等於或略大於質子數目。不同的原子序形成不同的元素(element)。例如氫(H)元素的原子序為1，具有一個電子，一個質子與一個中子；矽(Si)元素的原子序為14，具有14個電子，14個質子與14個中子。目前所有已知的各種元素顯示在週期表(periodic table)上。各元素在週期表上的位置，除了依原子序的大小順序排列之外，它還反應出該元素的原子結構與特性。 拉塞福原子模型 原子的基本組成 - 電子，質子與中子如何排列構成原子？最早拉塞福利用(粒子散射實驗結果，提出原子模型。他將原子結構比擬成太陽系，質子與中子組成原子核，相當是太陽系的中心 - 太陽，電子如同週圍的行星一般，環繞原子核運行。原子核半徑大約~10-13m，原子半徑約為~10-10m。所以可以想像原子大部份的質量，集中在範圍很小的原子核內，電子則在空曠的空間中運行。 雖然拉塞福原子模型與我們目前所認知的原子結構非常接近，但是此一模型最大致命傷是，電子在圓形軌道上運行，依古典電磁理論推論，加速電子會輻射能量，最後終將墜入原子核，因此原子無法穩定存活。拉塞福雖然無法正確描述原子結構，但後繼者，如波爾模型與量子力學處理，也依此原子模型為架構，提出新的理論做修正。 波爾原子模型 波爾(Bohr, 1885~1963)，於1913年為了解釋氫原子光譜實驗結果，以拉塞福原子模型為基礎，(即電子繞著原子核做軌道運動)，另外提出三個假設： 在軌道上運行的電子，具有穩態的量子化能量，稱為能階(energy level)。由於電子沒有連續能量，因此固定軌道上運行並不會幅射能量。n為量子數，不同軌道，具有不同量子數。m為電子質量，e為電子帶電量。eV為電子伏特，它是能量的單位，相當焦爾。 當電子由某個軌道上轉移到另一軌道時，相當是由能階之間的躍遷，電子會有能量的吸收或放射，轉移的能量等於兩個軌道間的能階差。電子會以f頻率吸收或放射能量 其中h為普郎克常數(Planck’s constant)，大小為焦爾-秒。 電子在穩定軌道上運行時，角動量L必須滿足下列量子化條件： 依波爾的理論計算，電子軌道被量子化，形成能階，分別由n=1,2,3…量子數表示。電子在軌道上具有穩定能量En=-13.6/n2 eV，軌道半徑為rn= n2rB。其中rB為波爾半徑，大小為0.53A。電子在n1與n2兩能階之間的躍遷，吸收或放發射的能量光譜線應為 R為雷得堡常數，R ~1.097 (107A-1。此一結果可以精確解釋氫原子光譜，因此受到重視與肯定。 雖然波爾模型成功地解釋了單電子原子結構的氫原子，但在多電子原子系統中(即原子序大於1的原子)，光譜出現許多波爾模型無法解釋的精細光譜，顯然波爾模型並非完全正確，仍有待進一步修正。但在原子結構中，他引入電子能階的觀念，卻是近代物理發展中的一個重要里程碑。 圖2-1：波爾模型的氫原子電子軌道(p925) 圖2-2：氫原子光譜(WFS2.4) 量子力學的原子模型 在1924年德布洛意(de Broglie)提出物質