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4.2 半导体二极管 4.2.1 基本结构 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为二极管。 4.2.2 伏安特性及主要参数 二极管实物图 2. 主要参数 4.2.3 特殊二极管 (3) 主要参数 课后作业 P79: 4(b) 5(a) 7 (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路或数电中的开关元件。 结面积大、正向电流大、结电容大，用于整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 4.2 半导体二极管 二极管的结构示意图 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 阴极 阳极 ( d ) 符号 D 硅管0.5V,锗管0.1V 反向击穿 电压U(br) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压时，反向电流突然增大，二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 1.伏安特性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压：正向电压小于时，电流 基本不变；超过时电流增长很快 P N + – P N – + 反向电流在一定 电压范围内保持常 数：反向饱和电流 1. 最大整流电流 If 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的最高反向工作电压，一般是二极管反向击穿电压Ubr的1/3～1/2。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 最大反向饱和电流Is 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，Is受温度的影响，温度越高反向电流越大。 4. 最高工作频率 PN结存在结电容，高于最高频率时，将一直导通。 (1) 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ (2) 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。反向击穿特性可逆。 _ + U I O 1.稳压二极管 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (4) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (5) 动态电阻 (2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (3) 最大允许耗散功率 Pm= UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 符号 2.发光二极管(LED) 当发光二极管加上正向电压并有足够大的正向电流时，就能发出一定波长范围的光。 目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光(红、黄、橙、绿、蓝、白)，它的电特性与一般二极管类似。 常用的有2EF等系列。 发光二极管的工作电压为1.5 ~ 3V，工作电流为几 ~十几mA。 3.光电二极管 光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时, 和普通二极管一样, 其反向电流很小, 称为暗电流。 当有光照时, 产生的反向电流称为光电流。照度E越 强，光电流也越大。 常用的光电二极管有2AU, 2CU等系列。 光电流很小, 一般只有几十微安, 应用时必须放大。 I/?A U/ V E=0 E1 E2 (a) 伏安特性 (b) 符号 E2 E1 3.光电晶体管 光电晶体管用入射光照度E的强弱来控制集电极 电流。当无光照时, 集电极电流 ICEO很小, 称为暗 电流。当有光照时, 集电极电流称为光电流。一般 约为零点几毫安到几毫安。 常用的光电晶体管有3AU, 3DU等系列。 (b) 输出特性曲线 (a) 符号 E=0 E1 E3 E4 iC uCE O E2 ICEO PCM C E 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 二极管电路分析的方法： 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 二极管的应用：主要利用二极管的单向导电性，可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为