奈米材料之X光吸收光譜檢測與分析.docVIP

奈米材料之X光吸收光譜檢測與分析 楊宗燁1、林鴻明1*、吳泉毅1、林中魁2 1大同大學材料科學與工程系 2逢甲大學材料科學系 *e-mail: hmlin@mse.ttu.edu.tw 摘 要 利用同步輻射光源對奈米材料進行X光吸收光譜研究，X光近緣結構(可以用來檢測材料中特定原子之電子組態)及延伸X光吸收精細結構(可用來測定原子之區域結構)兩大部份。X光吸收光譜的基本原理，，AgNi粉末及奈米TiO2、WO3。X光吸收光譜在原子短程結構及電子組態上之優點，XRD長程有序分析及TEM等結果相互配合，。 ：AgNi、TiO2、WO3、、、XANES、EXAFS 一、前言 奈米材料之定義是指其晶粒大小介於1至100 奈米(10-9 m)間之材料，由於其具有與一般結晶或非晶質相不同之原子結構，，、；，〔1,2,3〕，。，X光繞射分析(X-ray Diffraction, XRD)、(TEM)、(SEM)等為主；XRD進行結構分析，，，TEM可以提供結構分析，。 ，X光相同，，。X光(或UV光)，。X光吸收光譜研究，X光近緣結構(X-ray Absorption Near-Edge Structure，簡稱為XANES)X光吸收精細結構(Extended X-ray Absorption Fine Structure，簡稱為EXAFS)。XANES可以用來檢測材料中特定原子之電子組態，EXAFS可被用來測定原子之區域結構(Local Structure)，得知原子與其鄰近原子間之距離、。X，XRD長程有序分析及TEM等結果相互配合，。 ＸＸIo表示入射X光之強度，I表示出射光強度，樣品厚度為x，μ表示材料單位厚度對X光之吸收，則可以下式來表示其相互之關係： 若Ｘ，ＸＸ(Absorption Edge)，原子的內層電子開始吸收Ｘ光的光子，躍遷至外層之空軌域，造成吸收係數激增，即形成所謂的X光近緣結構(XANES)，其範圍約從原子之吸收限以上約50 eV左右，如圖(一)所示為Ti原子之X光吸收光譜，不同原子其吸收限之能量隨亦不同，、、。，X(XANES)可以檢測材料中特定原子之電子組態。 圖(一)：Ti KX光吸收光譜。 Ｘ(Interference)，吸收係數的大小隨相差的改變而逐漸變化，呈現週期性變化，這種變化從近緣區以上約1000 eV的範圍內都可發現，這範圍的吸收光譜即稱為延伸X光吸收精細結構(EXAFS)，(一)所示。利用EXAFS技術，可以決定原子之區域結構，即一個原子與其四周緊鄰的原子之間的距離、〔4,5,6〕。 X光吸收光譜研究主要在新竹之同步輻射研究中心(Synchrotron Radiation Research Center，簡稱為SRRC)1-9KeV (B15B)及Wiggler C (17C)進行。DCM(Double Crystal Monochromator)之高能量解析度(能量解析度1eV左右)光源，X光吸收光譜主要可用下列三種模式來得到：(Transmission Mode)、螢光模式(Fluorescence Mode)Total Yield Mode)；，。、(1)氣凝合成法合成二元之AgNi奈米粉末之研究 奈米AgxNi100-x (x=20, 35, 50, 65, 80)粉末樣品是以氣相凝結法(Gas Condensation Method)將不互溶的Ag-Ni二元系統固熔化。，Ag-Ni粉末。XRDAg為主，。，Ag混合得到奈米固熔粉末，SEM附加之EDS分析顯示，，。，Ag與Ni，〔7,8〕。 AgxNi100-x奈米合金粉末在XANES的分析中圖(二)，Ag50Ni50在Ni的吸收限上與標準的Ni樣品不同，Ni粉末(平均粒徑約為20 nm)亦不同；Ni粉末與標準Ni樣品之不同，Kubo效應引起之電子能階變化，Ag50Ni50的XANES除了與這兩者不同外，，Ag50Ni50固熔粉末可以氣相凝結法成功製造出來。 圖(二)：NiAg50Ni50合金於Ni吸收之X光近緣結構。 (三)一系列的AgxNi100-x合金粉末的EXAFS光譜中，(Oscillation)隨合金組成變化而略有改變，，(Nearest-Neighbor Bond Length)隨Ni含量之不同而不同，(三)右上角之插入圖所示，〔9〕 這些X光吸收光譜研究的結果與其他檢測，TEM、XRD等結果相結合，， 圖(三)：AgNiNi吸收限之EXAFS及最近原子距離隨Ni成份變化之關係圖(右上角之插圖)。 TiO2及WO3奈米粉末之研究 奈米TiO2 與WO3 粉末樣品亦是以氣相凝結法(Gas Condensation Method)合成〔10〕。X（XRD）TiO2粉末為介穩之Anatase相，因此我們對所得到之TiO2粉末