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快速热退火法制备多晶硅薄膜的研究 张会娟，于经，郝秋艳，解新建，刘彩池* 河北工业大学信息功能材料研究所，天津300130 摘要：本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退 火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM) 和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的晶化程度及表面形貌进行了测试分析。实验结 果表明,随着温度的提高时间的延长，薄膜的晶化越来越好，温度达到900℃时薄膜的晶化效 果最好，随着温度的继续升高晶化情况不再明显变化；相对单步退火，分步退火可以使薄膜 中的氢缓慢释放，减低失氢的剧烈程度抑制孔洞等缺陷的形成，从而提高晶化程度和表面质 量。 关键字：PECVD 非晶硅薄膜 快速退火（RTP） 温度 硅氢键 1 引言 薄膜材料分非晶硅薄膜和多晶硅薄膜两种，非晶硅薄膜材料制造工艺相对简单[1,2]，但 转换效率低、寿命短，稳定性差。而多晶硅薄膜太阳电池已被公认为是能够实现高效率、低 成本、长寿命的第二代太阳电池的候选者之一,而优质的多晶硅薄膜是获得高效多晶硅薄膜 太阳电池的前提。另外,多晶硅薄膜技术也广泛应用于图像传感器和薄膜晶体管等微电子技 术领域。因此,如何获得优质的多晶硅薄膜一直是该领域的一个研究热点。 PECVD法直接沉积的多晶硅薄膜晶粒较小、缺陷较多、薄膜的均匀性及光电性能较差。 因此很多研究单位选择先用PECVD法沉积非晶硅薄膜,然后通过再结晶技术使非晶硅薄膜晶 化成多晶硅薄膜，提高薄膜的质量。在常规高温炉退火、快速光热退火、金属诱导晶化、微 波诱导晶化以及激光晶化等国内外所采用的再结晶技术中，快速热退火工艺因其用时短、耗 能少、晶化后的多晶硅膜缺陷较少等优点，工业应用前景较好[3]。因此我们对该晶化技术进 行了研究。 本论文基于PECVD以高纯SiH 和H 为气源制备非晶硅薄膜，主要利用快速热退火再结晶 4 2 工艺对薄膜进行晶化，研究不同退火温度、退火时间以及分步退火对非晶硅薄膜晶化和表面 质量的影响。 2 实验 实验用的非晶硅薄膜材料均用PECVD法制备，衬底为晶向为111的单面抛光的单晶硅 片，将硅片置于单室PECVD系统中，在射频功率为13.56MHZ下辉光放电SiH +H 沉积非晶硅薄 4 2 -4 膜，SiH /H 质量流量比4%，真空度为1×10 Pa,沉积温度为300℃，放电功率为90W,沉积时 4 2 间为3h。然后将沉积的薄膜放进RTP-500快速退火炉中，在400℃～900℃范围进行不同温度 和不同时间（40s、60s、90s、120s）的退火。在退火过程中采用高纯氩气作为保护气，利 用XRD、Raman、SEM测试退火前后薄膜的晶体结构及表面形貌,利用FTIR测量薄膜的氢键变化。 *通讯作者：ccliu@hebut.edu.cn 3 结果及讨论 3.1 退火温度对a-Si:H薄膜晶化的影响 图 1 和图 2 分别给出了非晶硅薄膜在 400℃～900℃退火后的 XRD 图谱，从图中可以看 出退火温度对非晶硅薄膜的非晶成分影响变化，当退火温度较低时，薄膜的非晶成分没有什 么变化，但是当退火温度达到 700℃时，XRD 图像开始出现了不同晶向的特征峰，说明样品 薄膜开始晶化，对比 a-Si:H 薄膜700℃、800℃退火后的 XRD图,可以推断出在 700℃和 800 ℃之间存在一过渡区间，当退火温度低于这个温度区时，a-Si:H 薄膜很难发生晶化；而当 退火温度高于这个温度区间时 a-Si:H 薄膜，则很容易发生晶化。随着温度的升高，晶化也 变得越来越明显，薄膜衍射峰的强度越来越大。退火温度为 900℃薄膜的晶化已经很好了， 随着温度的继续升高，薄膜的晶化不再有明显的变化。说明在 900℃附近有一个最优的晶化 温度。 ( 1 1 1 )