基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究.pdfVIP

基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究 容碡枉，刘明，商立伟，刘新华，王丛舜 《中国科学院微电子研}渐纨朱加I厦新器件集成研究室．北京l∞D柳 摘要： 利用擞电子工艺，制备T基于R仳lxa眦单分子层的双穗老分子电子器件．并对其电学 特性进行了表征。研究发现，■爪d缸ar叭u鼠穗态器件具有可逆可重复的开关卉储挣性．将器 件^L初始的高阻态转变为低阻志的正向开关阚值电压为1．3V；将低阻态转变为高阻忠的自向闻值 电压忸为一1_7v．ii种基于Rotaxa,e交叉结构的有机飘穗态器件可应用于非易失性柑制音嚣。 关键词：Rotaxane；分子电子学：肛稳态开关；交又存储器 大规模集成电路在摩尔定律的指引下，集成发不断提高，特征尺寸迅速a劓、，进入lO纳米量缓．进 而导致生产工艺要求越来越苛刻，整个J=艺的研发与生产线投资成奉呈几何级数上升。传统的硅基集成电 路技术面临挑战．新村抖及新结构的研究成为热点。分子电子学的概念早在20世纪蚰年代就有^提出1。 近年来，随着纳米科技的进步，分子电子器件得到了更为迅猛的发展．由r具有低成本．简单，电学特性 多样化、甚至可通过官能团滑节．分子材料在电子器件中的应用引起了广泛的关注。人们研究了各种分子 电子器件，例如，分子导线、分子=极管、分子场效应晶体管，等等“。 具有艘稳态电学特性的分子薄膜．在信息储存、非易失性存储器有着广阔的应用前景’。对于般稳鑫分 子材料．交叉结构是一种理想的集成结构，其简单的结构容易实现太规模集成。交叉电路有两组平行线垂 直交叉而成，中间夹有双稳态功能的分子材料．形成一个交叉的阵列，如图I(a)所示。交叉结构的分子 器件特点主要有以F几点：1)交叉结构足一种二维结构，结构十分简单，工艺流程较少．这对于提高器件 的成品率相当重要，有效地降低了器件的成本：2)纳米级的交叉结构可以通过微米级的线条进行寻址，使 其易于与其他器件集成：3)通过电配置交叉结构，可以实现存储与逻辑功能：4)纳米电路在制备过程中 难免出现缺陷．而奴结构是种容错(de^姐如Ie砌t)的结构i5)交叉结构是一种天生的并彳亍结构，可 有效改善器件的J=作教翠…， 互目 圈I芟叉结构=维示意图(a)Ⅻ本文中豫山捌咖％件夹层结构(b ，J《 参》一番“车 “《， 田2车丈骈，潲R0nx枷骨子结筒 备了砸限鼬Ⅸ舭u夹层结构(圈1(b))的双稳态分子电子器件。该器件的I-V特性表明，其具有可逆可 重复的开关存储特性。将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为1．3V，将低阻态转变为 高阻态的负向阈值电压仅为．17V。 2实验 该器件选用50mm硅片作为衬底，利用低压化学气相淀积(I．／KV／D)生长一层200ran厚的sl扎．作 为电介质层。电极的制备主要采用反转AZ5214光刻胶和剥离工艺完成。实验过程如下所述。清洗、燃干 Evalx砷,aionSystem 单分子层薄膜，厚度约为3rim。为了防止存制备1-电极过程中光刻胶、显影液以及丙酮等溶剂对R0lax鲫e 单分子层的破坏，需要在R“,axane分子层上覆盖一层保护层。币足一种理想的保护屉材料。，不仅能有效 防止各种有机溶剂的渗透，而且能与有机分子官能团形成良好的接触，同时易]。刻蚀去除。在电子柬燕发 得到20rim厚的n保护层后．E电极采用同样的工艺流程制备，骏器件的夹层结构如图1(b)所示。辖上 电极作为掩蔽，采用感应耦台等离子刻蚀(ICP)刻蚀击除非图形区的■金属屡。刻蚀气体为c瓯以及 圈3TttRolzxane／Au交叉结掏器件扫描电镜m片 3器件特性及讨论 仪完成。典掣的月I黼法为两端电压一电流特性测试，如图I(b)所示，F电扳连接ⅫI试电压．E电极为 共地端。电雎扫描过程及芤测试结果如图4所示．首先从Ov到2v，然后从2V到一3v．最后从-3V到 3v dvt按照1一2一，3的次序；E成一次循环。从圈4可咀看出．器件韧蚺状态为高阻态，在正向电压为l