TiO2添加剂对氧化锌压敏电阻作用机理的研究.pdfVIP

中国电子学会敏感技术分会第十四届电压敏学术年会论文专刊 Ti02添加剂对氧化锌压敏电阻作用机理的 研究 髓searchofmnctionmechanismforZno垤risto瑙埘thadditi他 Ti02 孙丹峰1’2邴绍同1’2陈明1’2傅静3何忠伟3 1江苏省净化工程技术研究中心苏州2150ll 2苏州中普电子有限公司 苏州215011 3同济大学材料科学与工程学院上海200092 接耍： 粒尺寸随烧结温度提高而增大。烧结温度1100℃以上时，与固态ZnO反应生成Zn：TiO。尖相石相，阻碍晶粒进一步生成。 关键词： 二氧化钛添加剂氧化锌压敏电阻作用机理 1前言 位式地进入znO晶粒的表面晶格，引起晶格畸变而使晶格 低压氧化锌压敏电阻的成分非常复杂，除主基料zn0活化。 (2)变价元素Ti在高温下还原，周围出现一定数量的 外，掺杂元素有Bi、Ti、Co、Mn、Cr、Ni、sn、Ba、sr、 氧缺位Vo。这种氧缺位有利于质点扩散，促进固相传质， Al等十几种氧化物(有的还含有极少量的sb)，它们对压 敏电阻的微观结构和宏观电性都有影响，而且几乎均为交 Ti0：与Bi20，形成低熔点化合物液相。 又性影响叶51。为了避免次要因素的干扰，能够清晰、直观 (3)这种液相有润湿、粘结和拉紧作用，强化了粉 地分析主要添加剂的作用，必须将实际体系加以简化，从 料颗粒之间的接触，使Tio：对扩散传质的作用大大的加 简化的体系中得到适用于实际体系的普通规律。 强，促进zn0晶粒的生长。 (4)同时在znO晶格位置中Ti被电离成+4或+3价的 前人研究证明，Bi：O，和Ti0：是实现压敏电阻非线性化 和低压化最基本也是最关键的添加剂。分析发现Bi：0，和有效施主，使耗尽层中有效施主浓度增加，降低了势垒高 TiO：在低压压敏电阻中的掺杂比例远高于其他掺杂元素。 度，从而使氧化锌压敏电阻的电压梯度减小P叫。 为此设计了两个最简单的低压氧化锌压敏电阻体系： Bi：0，的熔点为825℃，比ZnO和其他添加剂的熔点要 低，在烧结温度较低时就熔融为液相，推动并促进主晶相 样，并与znm—Bi20，二元体系试样对比，分别进行sEM观 znO晶粒的生长，并使掺杂施主离子均匀地固溶入Zn0晶粒 察和xRD分析，研究Bi：03和Ti0：对ZnO晶粒尺寸的影响。 中。由于Bi3+离子半径102pm比zn2+离子半径74pm大，不能 进入zn0晶粒而是以富Bi相的形式偏聚于晶界，富Bi相可固 2实验过程 溶人许多掺杂元素(Mn、cr等)，由此形成晶界势垒即形 成非线性的伏安特性[6】。 采用普通微米级Ti02制备zn0一Ti0：二元系试样和 Ti是不稳定的过渡金属，易变价且具有较大的电子亲 zno—Bi：03一Ti0：三元体系试样，生坯分别在900℃、 和力。 别进行sEM观察和XRD分析。 (1)Ti4+离子半径为61pm，Ti3+离子半径为67pm， 为了研究zn卜Bi：03—_Ti0：三元体系试样中Bi：0，和Ti02 比zn2+离子半径74pm小，但又相近，所以Ti以Ti4+或Ti“替