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第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 晶体硅光伏组件封装功率提升研究 何宝华 ，徐传明 ，沈禛珏 ，秦涛涛 ， 王 慧 ，何 涛 ，阮忠立 ，张忠卫 （连云港神舟新能源有限公司 222100 ；上海航天汽车机电股份有限公司 200235 ） 摘 要： 晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，一般称之 为封装损失。本文通过理论分析建立了电池片经过封装后的光学增益与电学损失计算模 型，在此基础上结合试验研究了电池片分档方式、不同规格焊带、组件封装材料与电池 片之间的匹配等对组件功率的影响，通过优化组件封装材料等措施，有效降低了组件封 装损失，高了组件的输出功率。 关键词： 晶体硅组件；光学增益；电学损失；封装损失 1 引言 常规晶体硅光伏组件的结构自上而 为了获得所需的电流、电压和输出功 下的顺序依次是玻璃-EVA- 电池片-EVA- 率，同时也为了保护电池不受机械损伤和 背板。光线在被电池片利用前，经过玻璃 环境损害，必须将若干单片电池串并联连 等的吸收与反射，造成光学损失，电池片 接并封装成组件。一般情况下，封装后的 之间采用导电焊带连接，组件内部电路及 组件的实际输出功率小于所有电池片的 外部接线盒的电路上的电阻也造成功率 功率值之和，一般称之为封装损失，若定 损耗，在高组件输出功率方面可以主要 义组件实际输出功率为 Pmax ，电池片功率 从光学和电学两个方面进行分析计算。 值之和为 P ，则： 2.1 光学方面 t P 从理论上讲，晶体硅电池不能将所有 封装损失= (1− max ) × 100% P t 光线都吸收转换成电能，地面用硅太阳电 在电池片功率一定的情况下，若高 池的光谱响应范围一般为 300-1100nm，因 组件输出功率，则必须降低组件的封装损 此，任何使这一波段的光进入电池减少的 失。本文分别从光学损失和电学损失两方 因素都会造成光学上的损失。 面分析和讨论了可能影响封装损失的因 从组件效率方面考虑，光学损耗主要 素。根据理论计算，出了一些增加组件 包括焊带遮光、背板露白、玻璃和 EVA 输出功率的措施，并通过试验进行了比较 等封装材料引起的反射和吸收损失。为简 研究。 化计算只考虑了光的垂直入射，并且只考 2 晶体硅光伏组件封装损失分析 虑最主要的光的一次反射，使用菲涅尔定 51 第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集 [1] 律，建立了简易的光学分析的模型见图 1。 透射率曲线图 ，其中D 样品未添加紫外 分别通过分析和计算各部分所导致的光 吸收剂，300nm 波长光的透射率为 37.1%， 学损失部分。 而其它三种加入抗紫外剂的 EVA 对在