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C12／Ar／BCl3ICP刻蚀A1GaN的研究
陈亮1，亢勇1，朱龙源1，赵德刚2，李向阳1，龚海梅1
(1．中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083；
2．中国科学院半导体研究所，北京100083)
摘要：感应耦合等离子体(IcP)刻蚀在A1GaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比
流偏压的增加而增加，刺蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀袁面
的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对剩蚀结果进行了讨论。分析表明，在满
足刻蚀表面形貌的同时，较低的直流偏压下刻蚀速率较慢，但损伤较小，这对于制备高性能的紫外
探测器是有利的。
关键词：感应耦合等离子体；铝镓氮；扫描电镜；俄歇电子能谱
中图分类号：TN304．2；TN405．98文献标识码：A文章编号：1671-4776l2007)07／08—0007-03
ofICP ofAIGaNwith
Study Etching C12／Ar／BCl3
CHEN YongI，ZHU I-led-rneil
Ij删，KANG Lorwyuanl，ZHAODe-ganf，LIⅪang-yang*，GONG
LaboratoriesTransducer Institute
f1．黝日key of of
Technology·Shanghai
TechnicalPhysics，ChineseAcademyofSciences．Shanghai200083，Chimt
2，Institute 100083tChim)
o，Semiconductor，ChineseAcademyof,Sciences，Beljing
in
coupled an rolemesafabricationof
Abstract：Inductivelyplasma(ICP)etchingplaysimportant
A1GaN-basedultravioletdetectors．The ICP
characteristiesof were withRIEandECR．
compared
Ni
wasusedas wereusedasthe
mask，Ch／Ar／BCh ICP
etching inductivelycoupledplasma，and
of chemical was
etching11-Ak45Gao．55Ngrownby
metalorganicvapordepositioninvestigated．The
rateincreaseswiththe ICPDC doesnt with
bias．and increase
etching increasing
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