Si基半导体中微观缺陷与微量元素行为的正电子湮没研究.pdfVIP

l0th NationalConferenceonPositronAnnihilation Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子 湮没研究木 韩艳玲，陈玉辉，韩丽芳，黄宇阳，邓文 (广西大学物理科学与11：程技术学院，广西南宁530004) 摘要：测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Sj基半导体、单晶Si、单晶si02、石墨和纯多 的谱峰次之，B的谱峰最低。随着B，c和O原子序数的增加，与正电子湮没的电子动量增加。含20％的 品的谱峰最低。随着烧结温度的升高，含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低，正电子寿命增长， 缺陷开空间和浓度升高。 关键词：半导体si；掺硼：掺碳：微观缺陷：正电子潭没 1前言 对Si基半导体的研究在当代高新技术发展中一直占有突出的地位．高科技是建立在微 电子技术基础上的，而后者又是建立在硅基半导体技术上的．硅的带隙比锗的大，有更高 的耐温、耐压特性，在高温的02的气氛下，Si表面很容易生长出电绝缘的介质常数L匕sid, 得多的Si02薄膜，因而能够研制成便于集成化的各种平面晶体管，从而引发了Si集成电路 的研制，极大地推动了计算机、通信、自动控制等信息高科技领域的划时代飞速发展． 半导体的电阻率受外界条件(如热、光等)的影响很大．一些特殊的半导体在电场或磁场 的作用下，电阻率也会改变．半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系，如 果所含杂质的种类不同，半导体的导电类型也可能不同． Freeland等人1lJ通过X射线实验发现，高氧、低碳的硅样品，在1500oC退火时，氧沉淀 oC～800 oC～1100 的密度随退火时间的增加而增大；700 oC预处理加速了随后1000 oC高温退 火时的氧沉淀，他认为高温退火时氧沉淀是均匀成核的．Bnlsa等人【2】研究了不同退火温度 的硅中的氧缺陷．发现经过450uC退火，氧原子移到间隙位置；而先在450oC退火，后在600 察到在完全无漩涡的直拉硅中，高温退火期间，即使氧过饱和比达到5，间隙氧难以沉淀， 因此他推断氧沉淀是非均匀成核．1noue等人【4J提出了液滴模型，晶体生长是在适当的冷却 oC-500 速率下，微沉淀将由偏聚在液滴中的杂质形成．在300 oC退火时，IR测量和ESR；汲0 量IS]都确认了硅中C．O化合物的存在，可以设想硅中的C．0化合物做为氧沉淀的异质成核 cm一． 核心，其浓度为10’5 Si基半导体中的微量杂质B，C，O等对半导体的电性能有很大的影响，但至今人们对这些 微量元素在半导体的行为及其对微观缺陷的影响不甚了解。 正电子寿命谱能提供正电子湮没前所在处电子密度的信息，可区分具有不同开空间的 缺陷。J下电子湮没前所在处的电子密度越低，『F电子的寿命越长16，”。符合正电子湮没辐射 107 l0thNationalConferenceonPositronAnnihilation Doppler展宽谱可提供一维正．负电子湮没对的动量分布信息。本课题组采用双探头符合技 术，大幅度地降低了谱线的本底，其峰高和本底之比高于10s，从谱线的高能量部分可提取 原子内层电子状态的信息。不同的原子其内层电子的动量分布不同，测量材料中原子的内 层电子的动量分布，可获得该原子微结构的信息，并据此区分不同的化学元素[8．91。近年来， 很多研究者利用此项技术研究了纯元素和半导体化合物中的微观缺陷和电子结构，取得了 一般实验手段难以获得的重要结果[8-Jo]。 本文采用固相烧结制备法在高纯Si超细粉的基础上分别掺入少量的C或B粉，在不同 温度下烧结制备出Si基半导体样品，并测试这些Si基半导体多晶样品、单晶Si、单晶Si02、 方、不同烧结温度制各的Si基半导体样品中的微观缺陷以及微量元素的行为。 2实验方法 2．1样品制备 在高纯Si超细粉料中添加少量的C或B粉，将不同配方的材料按通常的电子