ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜和其结构研究.pdfVIP

ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜和其结构研究.pdf

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中国核学会核材料分会2(D7年度学术交流会 ECR.PECVD低温沉积多晶硅薄膜及其结构研究 邓婉婷1,一,吴爱民1,一,张广英1,一,秦富文1,一,董闯1”,姜辛1’2,4 (1、大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024) (2、大连理工大学材料科学与工程学院,大连116024) (3、大连理工大学物理与光电工程学院,大连116024) (4、锡根大学材料工程研究所,锡根57076德国) 出适宜低温沉积多晶硅薄膜的工艺参数。 关键诃:ECR—PECVD多晶硅薄膜;择优取向;晶化率 1引言 多晶硅薄膜是一种新型的半导体材料,既具有单晶硅的高迁移率,又拥有非晶硅薄膜的制备工艺简单等优 点,以其特有光电性能和较低的制作成本,广泛应用于薄膜太阳能电池【12】和薄膜晶体管【3l等领域中。 目前多晶硅薄膜的发展以具有低成本,高的光电转换效率的特点为趋势。为极大限度地降低成本,人们已 研究了多种能在廉价玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜的方法。其中电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技 工艺HJl。 本文以普通玻璃片作为衬底材料,采用ECR-PECVD方法,通过改变沉积温度、气源流量以及微波功率, 研究了不同工艺参数对多晶硅薄膜结构的影响规律,对薄膜的微观组织结构进行了观察分析。 2实验过程 除了基团与中性粒子,离子对于沉积也具有重要的作用。但是高能离子会导致很高的离子轰击,不利于薄膜获’ 得较高的结晶度,通过加入心,可以改变离子的能量旧I,使离子的能量分布处在有利于薄膜外延生长的范围内, 减少对薄膜的轰击损伤。经微波裂解的亚稳态的舻基还有助于增强微波放电,提高SiH4和H2的离解率,提 高薄膜的有序度盯】。实验以康宁7101普通玻璃为衬底,加载样品前,将玻璃放入丙酮、酒精、去离子水中分别 用超声波清洗10分钟,经氮气吹干后安装在样品台上,然后通过载入室传动机构固定在薄膜沉积室中。反应 室本底真空1.2—2.3×10一Pa,工作气压为0.3—8Pa。其它实验工艺参数如表l所示。 晶化率和微观组织结构等进行了测试表征。 3实验结果与讨论 3.1沉积温度对多晶硅薄膜的影响 图l为不同沉积温度下,多晶硅薄膜的XRD图。= 一 曲线的前半部分出现了非晶特征的漫散包,这是由于 誊 ‘D C 薄膜的厚度很薄,受到玻璃基片的影响很大。在常温 3 呈 下制备的薄膜未发现有晶体衍射峰,只有非晶的漫散 峰,说明室温下制备的薄膜绝大部分是非晶态的。在 100。C时,出现了多晶硅对应的(111)衍射峰,强度 较弱。温度在200℃、300℃时,薄膜按(220)取向 26(aeg) 择优生长。为了更准确的得到样品的信息,我们结合 图1不同沉积温度下多晶硅薄膜的XRD衍射谱 中国核学会核材料分会2007年度学术交流会 拉曼光谱对样品进行了分析。 表1各个样品的沉积参数 处呈现非晶特征散射峰,同时具有较大的展宽,说明室温下制备的薄膜绝大部分是非晶态薄膜,同时也有少量 晶化相的存在,这与前面XRD的测试结果是一致的。随着温度的不断升高,峰位向高频方向移动,薄膜中的晶 体成分增加,非晶成分减少,逐渐由非晶向多晶转变,当温度到达 300℃时,样品在520cm一1处出现晶体si的特征峰。 =亳 利用拉曼光谱,‘可以近似得到多晶硅薄膜的晶化率,晶化率Xc要 可用下式表示瞄’ 焉

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