170GHz同轴回旋管高频结构地研究模拟.pdfVIP

68 四J，II省电子掌会高能电子掌专业委员会第五届学术交流会论文集 170GHz同轴回旋管高频结构的研究模拟 ‘ 孙旭，赵青，杨茂辉 (电子科技大学高能电子学研究所，四川成都610054) 摘要：以回旋管理论为基础，对回旋振荡管的同轴高频结构进行研究，该高频结构采用同轴结构谐振腔，与传统的谐 振腔比较，功率容量达并对模式竞争有良好的抑制作用。通过理论分析，得出同轴结构谐振腔的模式特征方程，腔体的外径 与内径的比值C作为特征方程的参数之一，对谐振腔模式的本征值有重要的影响，经数值计算，可以得出一定范围内变化的 c对谐振腔本征模式及干扰模式所产生的影响，为高频结构的设计提供依据。本文还对170GHz同轴回旋管的高频结构进行 粒子模拟，模拟结果与理论取得了良好的吻合。 关键字：回旋振荡管 谐振腔 同轴结构模式竞争特征方程 引言 在集成电路器件被大量使用的今天，电真空器件具有高频率、高功率等集成电路器件无法比拟的特点， 因此对传统及新型的电真空器件的研究和设计对国防及生产生活都具有重要的意义，包括用于可控核聚变 反应的电子回旋谐振加热(ECRH)【¨、雷达‘21、工业烧制等。包括回旋振荡管，回旋速调管和回旋行波管 在内的回旋管家族是电真空器件中一类重要的微波毫米波源，针对国际热核反应计划(nER)对等离子体 加热的要求，170GHz回旋振荡管引起了人们的兴趣并得到了广泛的研究。 由于谐振腔∞1是回旋振荡管高频结构的核心，直接影响着回旋振荡管的功率、效率、模式竞争情况， 本文对170GHz回旋振荡管的谐振腔进行研究和模拟，采用同轴渐变谐振腔结构，利用线性理论计算腔内 场分布曲线，根据场分布曲线修正结构参数并采用粒子模拟软件进行热腔模拟，取得了令人满意的结果， 为下一步实践工作奠定了基础。 1高频结构设计 对于半径渐变圆柱谐振腔，圆柱腔本征方程的本征值决定了其本征模式，同轴情况下，通过场分析推 导出互作用区本征方程，此本征方程的根就是谐振腔本征模式的本征值(‰刖，该值可用于冷腔及热腔 的一维波动方程，计算场幅值分布及色散方程，选择结构尺寸、磁场、引导中心半径等参数。 同轴结构谐振腔的特征方程为 L㈨吒(争吒(力‘(予 函数。 日JlI女电子掌々高m电子掌专m委员々第1月掌术交-赢§论文a‘ 69 率文J竹米崩的吲轴宝舌}勾挪圈l所不，谮振腔外壁采用传统的三段式结构，内轴半径随长度z逐渐减小， 这样互作用段的C与一定范围内的：成正比．因此奉征值可以表示为‰(c)或‰(zJ，‰随c的变化 关系曲线如圈2所示(咀7E引。为工作模式)．由于‰不再是常数，受‰影响的绕射品质因数见。电 随之变化，高功率回旋振荡管中，腔体品质茜数Q主要由色”决定．当某模式的dj％／托为正时，其向 着截至频率，f提高的方向传播．能速下降．这样就保持更多的能量于谐振腔中．表现为Q口的提高。圈 此我们可咀选择合适的C来降低竞争模式的品质圈数从而提高其起振电流，起到了抑制横式竞争的作用。 嗣 ：二z二：二_-二j二二二二_ 一—L——+，——L÷—L— 1 ofcoaxial 2 versusCforTE34．19 Fig Geometry cavity Fig Eigenvalue 图1同轴谐振腔结构 囤2本征值与C的关系曲线 然而．并不是所有的竞争模式都可以依靠此法消除 为了解决返个问题，研究者们采用丁内轴开槽的 方法来修正本征曲线，作为下一步的工作，这里不作赘述：另外谐振腔半径R．互作用段长度L等结构 参数的选取，由于方往为人所熟知．也不做舟绍。经过反复修正结构参数．谐振腔工作模式冷腔场分布曲 线如图3所示．横坐标为归一化腔件长度，纵坐标为归一化场幅值．通过观察曲线，为进一步的注．波互作 用模拟提供依据。 3field coaxial profileforTE34，19in F：g