半导体物理学简明教程 教学课件作者 陈治明 第7章半导体表面与MIS结构2011.pdfVIP

第七章 半导体表面与MIS结构 7.1 半导体表面与表面态 7.2 表面电场效应与MIS结构 7.3 MIS结构的电容电压特性 7.4 表面电导与表面迁移率 2015年5月1日星期五 西安理工大学电子工程系 马剑平 1 第七章 半导体表面与MIS结构 7.1 半导体表面与表面态 7.1.1 理想一维晶体模型及其解 7.1.2 实际半导体表面 7.1.3 Si-SiO2系统 表面态会加速非平衡载流子的复合，会改变半导体的 功函数,从而影响材料和金属-半导体接触的性能。但 另一方面我们也看到，外加电压能通过金属-半导体 接触改变半导体表面的电场，使表面附近的能带发生 不同程度的弯曲。以后我们会知道，利用这样的表面 电场效应可以做成各种各样的器件。 2015年5月1日星期五 西安理工大学电子工程系 马剑平 2 7.1.1 理想一维晶体模型及其解 由于晶格的不完整性使势场的周期性受到 破坏时,则在禁带中产生附加能级。 由于晶格缺陷或吸附原子等原因也可以引 起表面态,这种表面态与表面处理工艺密 切相关。 表面态对半导体的各种物理过程有着重要 影响,特别是对许多半导体器件的性能影 响更大。 2015年5月1日星期五 西安理工大学电子工程系 马剑平 3 1、理想一维晶体表面模型及其解 2 2  2 2  d  V E (x 0)  d  2m dx 0 V(x) E (x 0) 0 2m dx 0 一维半无限晶体的周期性势场模型 x ＝0处为晶体表面； x ≥0 的区域为晶体内部，其中有一个以a为周期随x变化的 周期势场V(x) ； x ≤0 的区域表示晶体之外，其中的势能V 为一常数，这相 0 当于一个深度为V 的势阱。 0 2015年5月1日星期五 西安理工大学电子工程系 马剑平 4 对能量E ＜V 的电子 0 1.在晶体外部，电子波函数集中在x ＝0 的表面处，随着离开表 面距离的增加，波函数按照指数形式衰减。 2 2 2m (V E )  d  V E (x 0)  (x) A exp[ 0 0 x ] 0 1 2m0 dx  2.在晶体内部,一维半无限周期场中存在波数k取复数的电子状 态，其波函数在x=0 的两边按指数衰减。表明占据这一附加能级 的电子主要集中在x ＝0处，即电子被局限在表面上。 2 2 V(x)作为一个周期势场，  d   2m dx V(x ) E (x 0) 满足V(x+a)= V(x) 的关系。