金属合金二次发射冷阴极.pdfVIP

维普资讯 2007年第48卷第3期 光电技术 ELECTRo．OPTICSTECHNOLOGY Vd．48No．3，2007 金属合金二次发射 “冷阴极 摘要 本文概述磁控管超高频放大器用钡一钯金属合金阴极的性质。在这一类器件中只采用阴极的二次一电子发射。 为了摆脱器件激励，热电子发射应被除掉，所以阴极工作在所谓的“冷”状态。 1 引言 频磁控管型真空器件特别重要。 两种情况用作写本篇论文的动机。第一是以阿 就其需要所谓二次发射 “冷”阴极的磁控管放大 · 弗 ·戈卢贝恩柴娃为首各学术界都在关注本身也包 器而言，则是这种类型品种繁多器件之一，。它的热 电子发射为摆脱器件激励不应超过 1O～A／cm2。 括阴极问题、特别是在热 电子与场效应冷阴极表面 所产生的波动现象。第二这正是在萨拉托夫目前最 把金属合金钡一钯阴极 (Pd—Ba)用在这样的 强化拓宽研究和运用的非传统电子发射源一场效应 器件内，应该说则是最成功的。 和二次发射阴极，这可由2002年 7月在俄罗斯萨拉 托夫市举行的第 4届国际真空电子源学术会议上完 2 阴极的性质 全清楚地表现出来。 作为发射体采用 内含重量为 0．5—2％钡的Pd 这事无论怎么奇怪，但从降低阴极的工作温度 — Ba金属合金是双相的：一相为金属间Pd5Ba化合 来保证它可行和持久工作的问题通常更加激烈。而 物，另二相为纯钯。 这原因就在于，在现实的真空器件中，阴极的表面长 在参考文献 的工作中，头一次介绍 Pd—Ba的 期处在破坏因素的作用之下：击穿、剩余气体吸附、 发射性质 (电子逸 出功 ，二次发射系数 o)。在 周围电极淀积、以及磁控管器件中的离子与 电子轰 1000K时逸出功降低到2．5ev且在 Ep=550V时二 击。 次电子发射系数增大到 o ，降低到 2．6ev就受吸 为了保证对这些因素的抵抗力，在阴极中想必 附单原子钡膜制约，PdsBa化合物则是该膜的源泉。 要有能奠定保证使它工作所必须表面成分和结构 自 发射参数的稳定和再现值是在8o0—9o0℃亮使 动恢复机制的基础。在当代的有效阴极中，这种机 真空中的合金加热 以后达到。因此要使它们的容积 制被建立起来。 和表面的杂质的清除掉。用俄歇光谱分析法研究阴 它的实质就在于，在阴极表面保证使它有效工 极表面元素成分依随加热温度的变化示于图1。 作所吸附活性金属的单原子层，依靠从阴极深处的 起始俄歇谱指明颇大的杂质量，其内容物 由试 扩散(而为此需确定的温度)不断地被恢复起来，在 样出现 以前的时期决定。起初总的杂质 内容物如 这里活性金属以任何一种化合物的形式储备起来。 Cu、Ni、Co、Fe、P、Si(图1上未指示出)，不超过几个 多半活性金属都是作为它与氧(氧化钡、氧化钍、金 原子百分率。在800C~上面加热时，这些表面杂质 属多孔钡等)的化合物被储备起来。在金属合金阴 去缶不明。表面成分最实质性的变化发生在温度 极中，它作为金属间化合物储备起来。这种区别在 5o0—9o0℃亮波段，这时金属合金阴极所特有的成 金属合金阴极发射性质对电子轰击作用实际上绝对 分形成 3：氧、氮和其它气体消失，留下来活性金属 稳定性中最清晰的表现出来。这种阴极质量对超高 一 钡和基体一钯的高峰值。