BiFeO3薄膜的制备及掺杂改性研究进展.pdfVIP

第29卷第l期 山东建筑大学学报 V01．29No．1 0FSHANDONGUNIVERSnlY Feb．2014 2014年2月 JOURNAL JIANZHU 文章编号：1673—7644(2014)0l一0064一07 BiFe03薄膜的制备及掺杂改性研究进展 王翠娟1，范素华1“，张丰庆1，董蓬超1，郭晓东1，解肖斌1 (1．山东建筑大学材料科学与工程学院，山东济南25010l；2．山东女子学院，山东济南250002) 摘要：BiFe0，薄膜是当前多铁材料研究的热点之一。作为一种无铅多铁材料，BiFe0，薄膜优异的铁电和磁学性 能使它在信息存储器、传感器和自旋电子器件等众多功能材料领域都有广阔的应用前景。但目前还存在漏电 流较大及老化等一系列问题，使其与未来器件应用的要求还有一定差距。目前改善BiFe0，薄膜多铁性能的方 法主要是通过改进制备工艺及掺杂改性。文章综述了BiFe0，薄膜近年的研究进展，介绍了其晶体结构及性 能、制备工艺、掺杂改性，并展望了BiFe0，薄膜未来可能的研究方向和发展趋势。 关键词：BiFe0，薄膜；进展；制备；掺杂改性 中图分类号：TM22+l 文献标识码：A dop吨嗍l渝训伽of脚e03岫觚 m躺ilI恤删岬舳and WangCuijuanl，FanSuhual·“，ZhangFen鹊in91，e￡以 0fMaterialscience鲫d Jianzhu (1．sch∞l Engineering，Sh蚰dong W响en’s UIliversity，Jin舳250002，China) tllinfilmisoneofthe intlIeresearchofmultiferroicmaterials-Asalead‘ Abstract：BiFe03 hotspots fbemultiferr{0ic fermelectricand of thinfilmenableits material，exceUent m硼弘etic BiFe03 pmperties in areasoffunctionalmaterialssuch鹊inf0珊ation arId potential印plicationmany storage，sensors arestiH current粕dtllathinderits devices．However，出ereproblemssuch鹊leal【age a西ng 叩intmnic devices． themainmethodsto t}lemultifermic inferroelectricAt impmVe application present， of thinfilmaretlle of modification． BiFb03 improvementprepamtionpmcess锄ddoping properties This summ撕zestheresearchadvancesin thin its stIuctureand paper BiFe03films，intID