共溅射法金属掺杂透明导电ITO薄膜的研究进展.pdfVIP

第34卷第6期 韩山师范 学院学报 Vol.34No.6 2013年12月 JournalofHanshanNormalUniversity Dec.2013 共溅射法金属掺杂透明导电ITO薄膜的研究进展 郑泽浩 （韩山师范学院物理与电子工程系，广东潮州 521041） 摘 要：论述了磁控共溅射法在透明导电ITO薄膜中掺杂其他的金属材料的重要性，综述了采用该方 法在ITO薄膜上掺杂Zn、Ag、Mn等金属材料后，薄膜光谱透射率的变化，并且对掺杂之后ITO薄膜的结晶 情况、微观机理的变化、导电性能与光谱透射特性的内在联系进行归纳总结. 关键词：进展；ITO薄膜；掺杂 中图分类号：O469 文献标识码：A 文章编号：1007-6883（2013）06-0036-05 近几年来，透明导电氧化物 （TCO）薄膜被广泛应用于光电子器件，如液晶平板显示、触摸屏、 [1] 太阳能电池薄膜等．锡掺杂氧化铟 （ITO）薄膜是一种应用最广的TCO透明导电薄膜 ．随着人们对 显示技术要求的提高，显示器的柔韧性、可弯曲等性能提出了更高的要求，这就要求ITO薄膜要在弹 性的聚合物基底上低温制备 （50~150°C）．这对ITO薄膜的光学和电学性能提出了挑战，因为ITO薄 [2-3] 膜优异的光学和电学性能需要经过高温（100~350°C）的退火之后才能得到 ．为了优化ITO薄膜的光 学和电学性能，对ITO薄膜进行掺杂的研究引起了科学家们的注意，如在ITO薄膜中掺杂Zn、Ag、 [4-9] Mn、Au、Pd、Pt等材料 ．使ITO薄膜d光电性能上能够得到尽可能低的电阻率，尽可能高的可见 光透射率，且在尽可能低的温度下制备．ITO薄膜本身就是一种掺杂的化合物，科学家们正在研究掺 杂金属的ITO薄膜能否在导电性能和可见光的透射性能上得到改善. 1 ITO薄膜的光电性能及制备方法 自从1987年H.Nanto报导了在室温下采用磁控溅射技术制备透明导电ITO薄膜以来，透明导电 [3] ITO薄膜的研究得到了进一步的发展，ITO薄膜得到了人们的广泛关注和深入发展 ．ITO薄膜是目前 研究和应用最广泛的透明导电薄膜，是一种光电性能都非常优越的透明导电薄膜，在可见光谱范围内 -4 （300~800nm）平均光透过率可达90%以上，电阻率可达到10 Ωcm以下．ITO薄膜是一种重掺杂材 20 -3 料，具有高的载流子浓度 （10 cm ），使得光学能隙产生宽化：3.5～4.3eV，由于掺杂量的增加导致 了施主态密度的提高，又由于ITO薄膜是一种重掺杂，其结果导致了导带中低能态被电子所填充，较 高电子浓度的电子占据了导带的底端，会使得光学能隙产生宽化，让ITO薄膜能够在可见光透射率和 [10-11] 导电性能上得到最佳的结合，使得可见光的能量不会过多衰减的同时又能导电 ．ITO薄膜具有复 收稿日期：2012-10-10 基金项目：韩山师范学院青年科学基金项目 （项目编号：LQ101104）． 作者简介：郑泽浩 （1981-），男，广东潮安人，韩山师范学院物理与电子工程