一种新型光电聚合物的光伏器件制备及其性能研究.pdfVIP

一种新型光电聚合物的光伏器件制备及其性能研究.pdf

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光电子-澈光 第19卷第12期2008年12月Journalof V01.19No.12Dec.2008 Optoelectronics·Laser 一种新型光电聚合物的光伏器件制备及其性能研究” 王 斌1,何志群1,赵辙,孙剑渊1,梁春军1,刘应良2,曹少魁2t’ (1.北京交通大学光电子技术研究J听和发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044;2.郑州大学材料科 学与工程学院,郑州450052) 摘要:研究了新型光电聚合物材料聚1,4--(1一氰基)乙烯基撑苯撑3,7-N-辛基一吩噻嗪撑(POP)的电学性能和 光伏特性。首先制备了结构为ITC∥PQP/~的单层器件。在暗场条件下,器件的电流一电压特性曲线呈典型的 二极管整流特征。在白光二极管照射下器件可以获得光伏响应,开路电压(V0)为0.2V,填充因子(r厂)为 o.27。此外,在单层器件的基础上,研究了与茈的衍生物PTCDI-Q3结合制备的双层结构器件IT0/PQP/P1、 DI-c13/^J的光伏性能。与单层器件相比。双层器件的Vk可提高到0.9V。双层器件的开路电压显著增加表 明开路电压不仅仅受电极功函数的影响,还与受主的LUMO和施主的HOMO之间的能带有关。 关键词:聚1,4-(1-氰基)乙烯基撑苯撑3,7一忖辛基一吩噻嚓撑;光伏响应;开路电压;短路电流;激子 中圈分类号:TM914.4文献标识码:A 文章编号:1005-0086(2008)12-1810-04 Photovoitaicfromanovel anditsdevices property optoelectronicpolymer WANGBid,HE HuanI,SUN Zhi—qunl,ZHAO Jian-yuanl,LIANGChun-junl, LIU Shao-kui2‘‘ Ying-lian92。CAO of and (1.KeyLahorawryLuminescence ofEducation。Instituteof Optic.iInformation。Ministry Optoelectronic of and MaterialsScience Technology·BeijingJiaomngUniversity,Beijing100044,China;2.School Engineering, ZhengzhouUniversity,Zhengzhou450052,China) electronicand of AhaCrad:The propertiesanovel photovoltaie optoelI捌Cr011icpolylTler,叫y(3,7-N-octylphenothiozinylcya— structure isconstructed current- no_【erephthalylidene)(Ⅸ沪),beeninvestigated.Asinglelayer ITO/PQP/AI

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