高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究.pdfVIP

2009矩 仪表技术与传戴器 2009 增刊 Instnunent andSensor Technique supplement 高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究 谭刚，吴嘉丽，唐海林 (中国工程物理研究院电子工程研究所传感器研究中心，四川绵阳621900) 摘要：“叉指式微加速度计”的研制，需要使用高浓度硼扩散硅片。而硅片经过高浓度硼扩散后。硅片双面生长了一 层硼硅玻璃，很难将其去除，不能在高浓度硼扩散层上制作更好的“又指式微加速度计”结构。针对上述问题，在CMP 研磨抛光工艺中，钟对上述问题，在CMP研磨抛光工艺中，选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘，通过对浆料 浓度、流量大小、抛光温度进行改进，优化研磨抛光工艺流程及工艺参数，以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化。 关键词：硼扩散片；化学机械抛光；平坦化 中圈分类号：TN405．2文献标识码：A 文章编号：1002—1841(2009)增一0196—03 Researchon CMPof Boron．diffusionSilicon Heavy TAN Hai-lin Gang，WUJia-li，TANG ofElectronic of (Institute 621900，Chhla) Engln钾ril喈，ChinaAcademyEngineeringPhysics，Mianyang is for boron-diffusionsilicontofabricationof micro-accelerometer．After Abstract：Itnecessaryheavy multi-finger diffused， thereisa BSGonthe of silicon isallculttoremovetraditionalCMP double· layer surface，which by process．Throughimproving adhesionsilicon and the as diskand technology optimizingparameters，suchabrasive，polishingslurry，abrasivepolishingpad，it achievesthe surface for the boron-diffusionsilicon． good planarizationheavy Keywords：boron—diffusion silicon；CMP；planarization 0引言 Mechanical CMP(ChemicalPolishing，CMP)技术是20世纪 90年代兴起的一项新型抛光技术，其主要应用在半导体制造领 域。CMP技术即化学机械抛光技术，是机械削磨和化学腐蚀的 组合技术，它借助超微粒子的研磨作用和化学腐蚀作用在被研 磨的介质表面形成光洁平坦表面。随着半导体工业的急速发展， 驱使加工工艺向着更高的电流密度、更高的