- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
机电《传感器》B试卷.doc
传感器与测试技术作业
班级: 学号: 姓名:
一、选择
金属或半导体在受到外力作用时,会产生相应的应变,其电阻也将随之发生变化,这种物理现象称为( )
A 霍尔效应 B 光电效应 C 应变效应 D 压电效应
在光线作用下,能使物体产生一定方向的电动势的现象称( )
A 光电效应 B 光生伏特效应 C 内光电效应 D 外光电效应
在扩散硅压力传感器,其敏感元件周边固定圆膜片,当(B)具有最大负应力。
A r=0 Br=r。 C r=0.635r。 D r=0.812r。
在霍尔元件的主要指标中,KH是指( )灵敏度。
A 磁 B 乘积 C 电流 D 电势
在压电材料的主要特性参数中,( )是衡量材料压电效应强弱的参数,它直接关系到压电输出的灵敏度。
A 压电常数 B 介电常数 C 居里点 D 弹性常数
光纤按( )分,有玻璃光纤和塑料光纤。
A 传输模式 B 纤芯和包层 C 折射率 D 敏感元件对光强制
某些电介质,当在电介质极化方向施加电场,它会产生变形,这种现象称为( )
A 逆压电效应 B 正压电效应 C 负压电效应 D 无压电效应
半导体热电阻式传感器简称( )。
A 热敏晶体管 B 热电偶传感器 C 热电阻 D 热敏电阻
二、填空
热电阻传感器是利用转换元件 随温度变化的特征,对温度和与温度有关的参量进行检测的装置。其中将温度变化转化为 称热电偶传感器。半导体热电阻式传感器简称 。
变磁阻式传感器是一种 转换装置,是利用线圈 改变来实现非电量电测,具有 , , 。
传感器的作用是将 转化成 输出。传感器一般由 ,
, 和 四部分组成。
三、判断
( )1 热电偶回路热电势的大小只与材料和端点温度有关,与热电偶的尺寸形状无关。
( )2 光电池具有光谱特性。
( )3 红外探测器是红外传感器的核心,常见两大类:热控制器和光子探测器
( )4 把两种相同导体或半导体两端相接组成闭合回路,则回路产生热电势,这种现象 称热电效应。
( )5 金属导体或半导体受到外力作用时,会产生相应的应变,其电阻也将随之发生变化,这种现象称应变效应。
( )8 光纤数值孔径NA ,反映了光纤集光能力,NA数值孔径越大,光纤集光能力越弱。
( )9 功能型光纤传感器,光纤不是敏感元件。
( )10 将温度变化转为热电势变化的传感器称为热电阻传感器。
四 综合题
1、在箔式应变片实验中,简述差动放大器调零实验步骤。
2、使用一只0.5级量程为100V的电压表,测得某一电压为80V,求此测量值可能出现的绝对误差和相对误差的最大值。
已知:S=0.5 Um=100V U=80V
求: △Um &
加热前 加热后 T C 17 18 U(V) 0.03 0.08
T 16
4、在箔式应变片组成的全桥实验中,测得如下一组数字,(每个砝码40克)
法码X (个) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 电压 ( V ) 0.11 0.20 0.28 0.41 0.51 0.62 0.75 0.80 0.89 0.98
请作出V-X曲线,求出灵敏度S 。
若某一物品称重时,测得电压值为0.36V, 由V-X曲线可估算该物品重量是多少?
文档评论(0)