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低剂量率效应及其模拟试验 0，。． 0；{§a；i，0 宋钦岐 (航天九院七七一所西安太乙路八号 710054) 、F 摘 要本文是抗辐射预研。国际上先进的加固技术罪踪研究”的部分研究成 ．羹 果．通过文献调研。综述了额近发展的低剂量率效应，美军标MIL～$TD一88柏总剂量 试验方法10194和其他低剂量率效应模拟方法等．对深入研究空闻辐射效应有一定 指导意义． 戋 关键词 低{}lf量卑效应，总剂量试验方法 1引言 CMOS器件的电离辐射效应与剂量率大小密切相关．随着对电离辐射效应的 深入研究，逐渐乞注意力集中到低剂蟹率的研究上，目前已成为一个热门课题． 在空间飞行的卫星系统承受非常低的剂量率的总剂量照射，剂最率可以低 到百分之几拉德(硅)／秒的空间辐射环境，其剂量率为0，08rad(Si)／2．早期美 辐射效应，规定剂量率为50～300rad(si)／S，与空闯实际照射的齐玎量率相差甚 远，结果会有很大差别， 删 总荆盈辐射效应试验方法，与试验方法1019．3相比，有较大的修正，更接近于 运行卫星系统实际的总剂量效应．后来的研究发现，1019。4试验方法结果有些 过分保守，专家们又提出了新的模拟方法，只是这些改进的方法还没有成为标 锵 准． 本文通过对低荆璧率效应的文献跟踪，综述了低荆鬣率效应及箕模拟试验 一文．希望从事该项研究的专家能注意到这个新的动向．对他们总{i哇量效应和 加固技术研究有所带动， 2低剂量率效应 电离辐射效应是半永久损伤，辐射后产生的损伤可以部分恢复。这个恢复 409 。湓罐鲞 宋铁歧：低荆量率效应及其模拟试验 过程目前还不能完全确定。目前普遍认为电离辐射效应退火存在下列四个过 程： (1)空穴向界面的迁移和俘获．产生正空间电荷。 (2)界面态的产生． (3)正空间电荷的退火。 (4)界面态的退火。 通过研究已证实，上述每个过程需要不同的时间。通过文献调研得到在室 温下完成每个过程50％所需时间分别如下： 正空间电荷形成 10“秒 IMV／cm场强 界面态产生 20 IMV／cm场强 正空间电荷的退火 5×105秒 IMV／cm场强 界面态退火 109秒 界面态的退火值由室温下数据外推所得． 不同工艺制各的器件可以有不同的退火过程，有不同的退火过程时间． 由于电离辐射效应的四个过程有不同的时间，则在不同时间下产生不同的 电离辐射效应．高剂量率照射、照射的时间短，主要是产生正空间电荷，经退 火才能产生界面态；而低剂量率照射，照射的时间长，开始以正空间电萄产生 为主，逐渐的转化到形成界面态．由于正空间电荷与界面态对CMOS器件产生的 影响各不相同，因此产生的电离辐射效应，存在明显的差别． 图l示出了用辐射加固工艺制备的n沟晶体管在不同的剂量率下阈值电压 漂移△V，与总剂量的关系。图l有A和B二种类型器件。用加固的Honey-well体 ． 硅R