非晶硅电池参数影响.pdfVIP

奄 每镩 l茸|％ 。％∞ II鼯 非品硅电池参数影响 南开大学光电子所 任慧志 | | 。 铺要：在相同氢稀释硅烷浓度和相同的其它沉积参数情况下，在电池和玻璃上本征材料晶化程度不同， j微结构有差别。硅烷浓度sC 89 2％区间采用提高氢稀释硅烷浓度的方法沉积非晶硅，可使材料的有序度 薯提高。本征层材料硅烷浓度Sc6％的电池在沉积时随着衬底温度的增高，电池的开路电压逐渐减小；电池的 誓填充因子随着本征层压力的增太也呈现上升趋势，开路电压随着沉积压力的增大又逐渐降低。 美 丽 释晶毪 微晶礁 毫c 毒毫| 。。。 0 一 ， 引言 对于非晶硅材料的光致衰退效应 (Stabler-Wronski效应) 的机理，虽然国际上还没有一个统一的认识 ，但总的看法是， 由于非晶硅材料是一种长程无序的材料 ，内部存在很多弱 si— Si键和其他的缺陷态 ，光照导致在带隙中产生新的悬挂键缺 陷态 (深能级)，这种缺陷态会影响系统的费米能级 EF，使 EF 一．：．一 曲cmc一 3 2 1 下移 (对本征和 n型样 品)，从而使 电子分布发生变化 ，一方面 2 4 6 8 O O O O O O O O 使电导发生变化 ，另一方面使 电子的复合截面增大 ．降低了发 O O O O SC 光效率[1】。 图3．1电池开压 Voc随硅烷浓度氢稀释的变化 由此可见 ，提高非晶硅材料 的有序性有利于减少 内部的 ’ 缺陷态 ，从而提高非晶硅薄膜材料的稳定性 。但是由于非晶材 ／ ／ 料的长程无序的特性，简约波矢 k不再是很好的量子数 ，电子 的跃迁不用遵守动量守恒定则，也没有 “直接跃迁 ”和 “间接跃 迁 ”之分 ，这使非晶硅材料 的光吸收吸收 比单 晶硅材料有很大 s一 sc 5％ 一 一 ～ ～一 1 f=，* 。 ＼／ ／ ’。 的提高[2】。如果过份的提高非晶硅的有序度，选择定则的作用