Cu(In%2cGa)Se+薄膜在不锈钢箔上的择优生长.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（论文所属主题 C ） Cu(In,Ga)SeCu(In,Ga)Se 薄膜在不锈钢箔上的择优生长 薄膜在不锈钢箔上的择优生长 Cu(In,Ga)SeCu(In,Ga)Se 薄膜在不锈钢箔上的择优生长薄膜在不锈钢箔上的择优生长 22 22 张毅*张毅*，，李博研李博研，，孙云孙云 张毅张毅**，，李博研李博研，，孙云孙云 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津，300071， *通讯作者：E-mail: yizhang@nankai.edu.cn; Tel: 0228018 摘要：摘要：本文采用 X-射线衍射、扫描电镜和二次离子质谱等检测手段，对不锈钢箔上生长 CIGS 薄 摘要摘要：： 膜工艺参数，以及 Fe 对 CIGS 薄膜的择优取向进行了研究。结果表明，CIGS 薄膜的晶面择优取向 与在第一步生成的前驱物(In,Ga) Se 的择优取向密切相关，其中第一步的生长温度是(In,Ga) Se 薄 2 3 2 3 膜获得（300 ）取向的的关键因素，而该取向将会在后续生长中演变为（220 ）晶面择优的CIGS 薄 膜。同时发现，在 CIGS 薄膜生长过程中扩散进入的 Fe 会抑制 CIGS 薄膜（112）晶面的择优。采 用小角掠入射 X-射线衍射发现，CIGS 薄膜中的 Fe 和Na 会对薄膜表层的择优生长产生影响。对于 在不锈钢箔上和钠钙玻璃上生长的具有(220)择优生长的 CIGS 薄膜，由于 Fe 和 Na 的作用，其薄 膜表层表现出不同的择优取向，使得薄膜性能也出现较大差异。 关键词：关键词：CIGS；择优生长；Fe 扩散； 关键词关键词：： 1 引言1 引言 向与柔性不锈钢衬底CIGS 电池性能之间的关系，对 1 1 引言引言 与 Si,GaAs 等电池不同，多晶 CIGS 薄膜电池的 在 SS 衬底上生长的 CIGS 薄膜的择优取向进行研究 效率远高于单晶的 GIGS 电池。目前，多晶CIGS 电 就十分必要。 [1] 2 实验2 实验 池的效率已达到 20.3% ，十分接近多晶硅电池，使 2 2 实验实验 得 CIGS 薄膜电池成为最有希望的薄膜电池之一。多 在清洗干净的 SS 上用磁控溅射制备双层 Mo 薄 晶CIGS 薄膜一般呈(112)或者(220)择优取向。转换效 膜作为背电极，然后用三步共蒸发方法在不同工艺参 率为 19.2%[2]的 CIGS 薄膜电池以(112)为择优取向生 数下制备具有不同 Cu/III 比的CIGS 薄膜。为了深入 长的CIGS 薄膜。然而，18.8%的CIGS 电池则是以(220) 研究 Fe 对 CIGS 薄膜择优取向的影响，部分样品在 [3] 为择优取向的 CIGS 薄膜 。另外，多晶 CIGS 薄膜 制备 Mo 背电极前，首先采用溅射反应在 SS 上制备 不同的择优取向使得晶界(GB)呈现不同的电学性质， ZnO 做阻挡层。电池其它各层采用标准方法制备，并 这对少数载流子的输运有相当程度的影响[4,5] 。因此，