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半导体工业用含氟清洗气体研究进展 李盛姬 柳彩波 刘武灿 张建君 浙江省化工研究院有限公司 0前言 半导体清洗工艺主要是去除硅片上的粒子和金属污染、有机物，在刻蚀、布 线工序中的抗蚀剂去胶、去除化合物，以及CMP(化学机械抛光)后的清洗。 半导体IC制程主要以离子注入、扩散、外延生长及光刻四项基础工艺为基 础逐渐发展起来。由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如 果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路 等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排 除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行清 洗工作。 视。化学气相沉积(CVD)腔体清洗所用的氟碳化合物则是半导体工业中最大的 PFCs排放源。目前减少半导体工业中PFCs排放量的方法主要有：(1)过程优化 或开发新过程；(2)使用排放量小的替代清洗剂：(3)回收废气中PFCs：(4)在 过程中对PFCs进行破坏与分解。其中开发新过程与替代清洗剂是最有效的两种 PFCs排放减量／消除方法。 利用远程NF3清洗代替原有的原位氟碳化合物(如C2F6、CF4)清洗。远程NF3 清洗是指先将NF3等离子化，解离成F离子或原子，然后再让F离子或原子进 入CVD腔体清洗残留物。远程NF3清洗可高达95％．99％的利用率，可以减少 95％的PFCs排放量。远程NF3清洗与氟碳化合物原位清洗效果及PFC排放比 较见表2。 表2远程NF3清洗与氟碳化合物原位清洗效果及PFC排放比较 andin—situ Tab．2 andPFCemission betweenremote Efficiency comparison NF3 PFC排放 清洗剂 利用率(％) 副产率(％) 减少率(％) 33-55 7·30 20．50 C2F6 rCF4) NF3(原位) 60．70 0-4(CF4) 20．40 NF3(远程) 98 0-4(CF4) 95．99 C3Fs 30．60 12—30(CF4) 12．70 c-C4F8 70—90 4-11(CF4) 50．85 三氟化氮州itrogenTrifluoride，NF3)是一种有毒、无色、无嗅、不可燃的氧化 性压缩气体。1960年，NF3作为一种实验火箭燃料首次被应用。随后它被用于美 国导弹防御系统的化学激光。20世纪中期，科学家通过研制和开发，利用化学 气相沉积法，将三氟化氮替代了过去对大气层有破坏作用的清洗材料。NF3是功 用十分独特的一种电子气体。作为微电子工业中优良的等离子蚀刻气体和清洗 剂，由于它具有快速、高效等优点，广泛应用于半导体芯片、平板显示器、激光 技术、光导纤维、太阳能电池等领域，还可用作高能化学激光器的氟源。电子信 息产业的快速发展，为电子气体等材料带来了广阔的市场空间，台式电脑、随身 笔记本、手机、MP3体积正变得越来越小，液晶显示屏(TFT-LCD)、液晶电视厚 度正在变得越来越薄，在此过程中，被誉为气体“刻刀”的电子气体高纯度三氟化 氮立下了汗马功劳。 但该远程NF3清洗过程将会产生更多的副产F2、HF与NO。，无疑会增加后 续废水／废气处理的负荷与难度，后处理系统价格昂贵。而且NF3具有爆炸性。 2新一代含氟清洗气体 GWP值很高，而且后处理系统负责且价格昂贵。传统含氟清洗气体的大气寿命