直拉单晶硅中铜沉淀和铁沉淀与研究.pdf

摘要 鉴于过渡族金属铜和铁的玷污对硅基材料和器件的影响，研究直拉单晶硅中 铜沉淀和铁沉淀的行为，不仅在理论上对“缺陷工程的丰富和拓展有重大的意 义，而且在生产工业中对提高硅基电子器件质量也有重要作用。本论文利用择优 腐蚀配合光学显微镜及傅立叶红外光谱仪，得出了以下一些结论： themal (1)研究了不同快速热处理(Rapidprocessing，R1甲)气氛对铜沉淀 的影响。研究发现，不同气氛下RTP预处理会影响硅片中点缺陷的种类和浓度 分布曲线，从而对铜沉淀造成很大的影响：N2气氛下l玎P预处理的样品中体微 缺陷基本都集中在硅片近表面处；Ar气氛下RTP预处理的样品中体微缺陷都集 中在硅片内部一定宽度的区域；02气氛下I汀P预处理的样品中体微缺陷与Ar 气氛下RTP预处理的样品相似，都是在硅片内部，不过集中区域要更窄一些。 (2)研究了氧沉淀对铜沉淀的影响。研究发现，氧沉淀形成的先后顺序对 铜沉淀的密度、分布和形貌有很大的影响。先形成氧沉淀的样品中的铜沉淀成尺 寸较小的类球状均匀分布在截面上；而先形成铜沉淀的样品中的铜沉淀由于重复 形核，成大尺寸的星型状分布在截面上。结合傅立叶红外光谱分析，发现铜沉淀 对氧沉淀有促进作用，所以后者的体微缺陷密度比前者的大。经过750℃退火8h 形成的氧沉淀核心对铜沉淀的影响与氧沉淀的相似，这表明了氧沉淀的最初形核 密度以及分布是决定铜沉淀的最主要因素。 (3)研究了铁玷污对洁净区的影响。研究发现，引入铁玷污的次序对常规 高．低．高三步热处理样品和RTP．低．高三步热处理样品中洁净区的形成都没有影 响，且前者形成的洁净区比后者的宽。这说明洁净区宽度与引入铁杂质浓度无关， 仍由第一步高温热处理的氧外扩散和空位浓度分布决定。 关键词：直拉单晶硅；RTP；铜；铁；洁净区 Abstract Duetothe eff．ect of3d-n．ansition significant metals andirononthe copper silicon-basedmaterialsand is deVices，it to Very the and imponant investigatecopper 1ron for precIpltationmechanism，not and onlyenriching the of deVeloping principle ”def．ccts also for me engineering”，but silicon-based improvingquali谚of electmnic withthe deVices·Combining preferential etching，o