微波功率GaAs+MESFET器件本征元件和偏置关系分析.pdfVIP

106 21)0(I’令H第八届‘微波集成IU路’j移动通信’学术年会 微波功率GaAs 高一凡1 顾聪2 非线性。解析函数通常与MESFET器件的 l引言 物理特征无任何关系。 随着微波工业的发展，微波计算机辅助 这些非线性MESFET模型由两部分构 设计软件正成为微波电路设计和应用的主要 成。一部分是与器件的电阻元件和导跨有关 工具。目前，几乎所有微波电路，都采用谐 的静态DC的I__v特征，另一部分是动态 波平衡法。这种方法的明显优势是易于使 元件部分，它能对电抗性电容元件的非线性 用，模拟速度快。例如，在微波电路网络中， 进行解释。如果将外接互连线及封装也并在 常用的元件模型可以是线性模型或非线性模 器件模型中考虑，则应在模型元件部分中增 型，测量的s参数可以是小信号或是大信号