多阴极金属等离子体源的设计及应用.pdfVIP

2010全国荷电粒子源、粒子束学术会议 多阴极金属等离子体源的设计及应用 王浪平1，解志文1，王漫2td,峰1，闰久春1，黄磊1，陆洋1 l哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室哈尔滨150001 2黑龙江省科学院技术物理研究所哈尔滨150001 摘要：本研究设计了一种新型的多阴极弧等离子体源，该装置可装配四个放电参数独立可调的 金属阴极。采用探针对等离子体的分布均匀性、磁导管偏压和约束磁场电流进行测试分析和优 化。利用该装置制备了具有不同si含量的多元TiAISiN复合薄膜，利用EDX、SEM、XRD、 XPS和纳米探针对薄膜的微结构和力学性能进行测试分析，结果表明：在si含量为O．64at．％时， 薄膜具有高的的硬度32GPa，但薄膜的断裂韧性和结合强度差，而在Si含量为5．33at％时，薄 膜具有高的的硬度30GPa，此外，薄膜具有较好的断裂韧性和结合强度。 关键词：多阴极等离子体源，均匀性，TiAlSiN，硬度 1．引言 TiN是最早出现的刀具涂层材料ll五J，也是目前国内外应用较多的涂层，然而，随着高 速切削的发展，在高速切削加工中所产生的切削热对刀具的磨损比常规切削高得多，因此对 刀具涂层材料的硬度、强度、耐磨性、韧性和抗冲击能力以及高的红硬性和化学稳定性有更 高的要求，单一涂层材料很难全部达到上述技术要求。在单涂层中加入新的元素(Cr、Zr、 舢、B和Si)制备出多元复合涂层材料【3剖，大大提高了刀具的综合性能，特别是具有纳米 尺寸单晶金属或粒子的纳米复合涂层的出现，由于这种超细结构的材料具有高的硬度，很好 的高温抗氧化特性以及化学稳定性，已经成为了薄膜研究领域的热点。不同的方法用来制备 多元复合薄膜，如等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)17剖，磁控溅射【皿10】，离子镀等…。1引， 等离子体浸没离子注入与沉积(PIIID)具有低温处理和膜基结合力高的特点【l孓14J，因此，本研 究设计了一种新型的多阴极金属等离子体源，该装置配备了四个独立的金属阴极，通过调整 不同金属源的主弧脉宽，可以实现多种等离子体的共沉积，实现多元复合薄膜的制备。 多源等离子体源的设计 为了制备多元复合薄膜，可以采用一个合金阴极或多个阴极弧金属等离子体源在氮等 离子体气氛中实现，然而，由于不同金属元素的电离度有一定的差异，采用合金组成的单阴 极，制得的薄膜中化学配比和合金阴极的化学配比存在一定的差异，为了使薄膜获得理想化 学配比，本实验室自行设计并研制出了多阴极弧等离子体混合装置，如图l为该装置的外形 图，该装置最多可安装4个阴极，这4个阴极分别由单独的放电电源和触发电源控制，它们 共用一个阳极，每个阴极的放电电流可通过控制外部电源的脉冲宽度单独调节，从而实现多 种金属等离子体的单独放电和混合放电，并且能够实现不同阴极材料单独放电和混合放电很 好的控制，采用和基体偏压同步的输出信号，通过调整金属源脉宽，实现不同的成分配比。 这种装置能够克服磁控溅射当中利用固定成分靶材制备多元复合膜层当中成分难以灵活改 变的缺陷，同时也克服了化学气相沉积过程当中成分含量难以控制的缺陷。 6 20lO仝目付IU札fW、辅r小学术会Ⅸ 目1多m植菩离T体舡m装月 3多源等离子体源的均匀性研究 为r确定等离子体最太的‘I出效率，采棚探针对竹一等离子体在磁过滤系统中的电流 密度的变化规{{I!进行测试，如图2a)所示，0洋离子体引出LI肌卜馓盘属扳，将征接金属板 阻的电』K来衡请等离子体的引H{效率。测试山袢包括：丰弧磁场、导管确膻，0l小磁场和根 翻}磁场。 图2b)所示为不同等离r体的混台均匀性测试方法，刖忙自7个探针测fI|={十，每个探 针都分别通过导线引出真空室外，d-引…的导线J二接l二20k0IUm和．30V的}Uh进行测试， 每隔45度旋转测量杆．通过小_ljJ忙簧的反馈电，lt．可以r解等离r体的分布均匀件。 龋。 。粤～ 攒 嘲2测试犍A1‘虑目 十弧融场的作川是对阴极姐进行抓绵．提一嘶企懈等离r体的0I山效率。如I利3所不． 测试纬粜