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KMC模拟薄膜生长反常效应的研究 29
KMC模拟薄膜生长反常效应的研究
SimulationofAbnormalEffectinFilmGroeth
KMCMethod
Using
郑小平1’2，张佩峰1”，贺德衍3，郝远2
(1兰州城市学院电子信息科学与技术研究所，
兰州730070；2兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室，
ZHENG Yuan2
De-yan3，HA0
Xiao-pin91．-，ZHANGPei—fen91一，HE
(1InstituteofElectronicInformationScienceand
Technology，
State LabofAdvanced
Lanzhou 730070，China；2
CityUniversity，Lanzhou Key
of
Non—FerrousMaterials，GansuProvince，Lanzhou 730050，
UniversityTechnology，Lanzhou
of Scienceand 730000，China)
China；3School University，Lanzhou
Physics Technology，Lanzhou
摘要：以扩散理论基础，建立以“基本微观过程”为核心的新模型，首次对存在表面活化剂时薄膜生长的微观过程进行
KINETIC
MONTECARLO模拟。模拟发现，温度较低时沉积原子自身更容易聚集成核，这一反常效应是由于表面活化
剂原子比沉积原子更容易被激活扩散造成的。活化层原子和沉积原子都会发生跨层问的扩散，交换比并非恒等于1，而
是与温度、入射率、成膜厚度等多种因素有关。
关键词：KMC；薄膜；反常效应；交换
中图分类号：0484文献标识码：A 文章编号：1001-4381(2008)10—0029—03
consists
Abstract：Onthebasisoftheclassicdiffusionwehaveadvancedanovelmodel，which
theory
the ofsurfactant—mediated
ofthebasic havesimulated epitaxial
micro—processes，．and growingprocess
thin-film wit
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