ECR-PEMOCVD生长GaN基掺锰稀磁半导体研究.pdfVIP

半导体的研究。 秦福文。 吴爱民 吴东江 王叶安 (大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连116024) 摘 要：本文利用ECR-PEMOCVD(电子回旋共振一等离子体增强金属有机化学 气相沉积)方法，采用二茂锰作为锰源，氮气作为氮源，三乙基镓(TEGa)作为 镓源，在蓝宝石衬底上外延生长出具有一定Mn含量且晶质较好的GaMnN稀磁半 导体薄膜。并通过XRD、AFM、RHEED、电子探针、拉曼光谱等分析手段对样 品进行了分析。 GrowthResearchofMn GaNDiluted Semiconductor Doped Magnetic ECR-PEMOCVDo by FuwenoWuAiminWu Ye’an Qin DongjiangWang ofMaterials of 116024) (State Modification，DalianUniversityTechnology，Dalian KeyLaboratory Abstract：GaMnNDMS(Dilution certain Magnetic concentrationofMnand on goodcrystalqualities，wassuccessfullyepitaxialgrown ECR—PEMOCVD(Electronresonance— sapphire(a-A1203)substrateby cyclotron enhancedmetal chemical dicyclopentadienyl plasma organic vapordeposition)using asMn asNsource，and Ga manganesesource，N2 source．Andthe characteristicsofthefilmswere byXRD， growth investigated AFM，RHEED，ElectronicProbes，Raman Spectrum． 1 引言 稀磁半导体(DMS)的研究可以上溯到20世纪的60年代，前苏联和波兰科学家研究 了磁性半导体材料中的光学和电学特性。当时所研究的磁性半导体材料大多是天然的矿石， 居里温度在100K以下，其导电特性接近绝缘体。第二次研究热潮开始于20世纪80年代， 的研究工作，这使得稀磁半导体重新成为研究热点口]。 近年来，稀磁半导体凭借其在理论研究(如自旋极化的输运、自旋相关的共振隧穿)和 实际应用(如磁光和磁电器件、自旋量子计算机)两方面的潜在价值，受到了各国研究者的密 o基金项目：国家自然科学基金资助(No。 生长与特性研究． 422 D薄膜与表面材料 可以在高温、大功率光电器件领域得到广泛应用[1~6]，而成为最有前景的稀磁半导体材料。 中常用的电学测量方法所需要的金属二半导体接触在GaMnN薄膜上也很难制备凹]，使得目 前对于锰在GaN中的性质