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第十五J暑全田化合物半习·体．微波捌·件和光电器件掌术会议
P075
Si Ge／S
i分步布拉格反射镜材料的研究
于丽娟1，J．Zhan92
(1中国科学院半导体所，北京，100083，2 CoilegeLondon，UK)
Imperial
摘要：引入应力甲衡的概念，成功地设计r真实衬底，模拟了Si／Sio6RGeo32的反射谱，并用MBE的方法在真实衬底上生长J，高
反射率Si／Si068Ge032反射镜，效率可达78％。X．my双品摇摆曲线表明，所得材料具有较岛的质量，而倒易空问手j描图表明外延
si、Sio雠Ge032和Si0．853Geol47的中心并不在‘条直线上，发现理论设计的应力平衡，在实际当中并没完全达到，生长参数还需要
做进一步的调整。
关键词：SiGe，DBR，应力、r衡
中图分类号：TN304
I
The ofSi i—di stri buted refectorS
study Ge／S Bragg
LijuanYul．JingZhan92
1 London，UK
ImperialCollege
InstituteofSemiconductorsChineseAcademyofSciences，Beijing，100083，2
were fabricated the
Abstrat；SVSio6sGeo32一distributed relectivity byintroducing
Braggrelectors(DBRs)withhigh successfully
to the the of fromthestrainaccumulation．
strain—balancemethod，whichweIe overcomelimitationof number originating
designed pairs
of DBRs that andSi wereunder andtensilestrain011
diffraction Si／Si0“Ge032 showedSiolj8Gc032 layers compressive
X-ray spectra
as record of achievedat intheDBRwith25
virtualsubstrates 78％was 1．3¨m pairs．Fromthe(224)
Si0．853Ge0147 designed．Arelectivity
oftherelaxed lie thesame stainedbalance is
RSM findthatthecenter andstraineddonoton line，however,the oflayer
Fi93，we layers
not achieved．
completely
balance
Keywords：SiGe，DBR，Strained
EEAC：421
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