6H-SiC上SiCGe薄膜光致发光研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于安徽
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第十五角全国化合物半孚俸、微波嚣件和光电捌L件掌术圣，议广州’08 6H—Si i C上SCGe薄膜的光致发光研究☆ 李连碧，陈治明+，林涛，李佳 (两安理工大学电子工程系，西安710048) 周泱泱，王建农 (香港科技人学物珲系) 试温度从13K到300K。发现PL峰的强度随者激光辐照过程的持续If【『升高。并伴随有谱带的展宽和峰位的变化。在13K到150K 的温度范围内，PL谱基现双峰特征，两个峰分别位于470和630nm处，随着测试温度的Yl。高，位于630tim处的PL峰逐渐增 nm处出现新的PL峰H随着温度的升高逐渐增强，而位于470Ⅻ处的PL峰则逐渐减弱。当测试温度提高到150K以上时，500 强，630tim则相应减弱。关键词：SiCGe。SiC。异质结，光致发光中陶分类号：0484．1 文献标识码：A 文章编号： PhotoIuminescenceinSiCGethinfiIms on6H—SiC grown Lianbi Li Chen，TaoLin，Jia Li，Zhiming (DepartmentofElectronicEngineering,XJanUniversityofTeehnology,Xil口n) Zhouand Yangyang JiannongWang and University Technology) (DepartmentofPhysics，HongKong ofScience ina Abstract：The were on6H-SiCsubstratesat12500CwithdifferentGdhflowrates conventional ternarySiCGe grown alloy samples filmsarc materialwith ofdefects faults hot—wallCVD hasbeenfoundthatthethin a higIldensity such∞stacking system．It monoeeystal and boundaries．Thedependent ofthethinfilmswasmeasuredinatemperature anti-phase temperaturephotoluminescencespectroscopy excitationthefirstabout2 from12to300K．ThePL increasesunderthelaser during hours，meanwhile，a range intensity rapidly